首页> 中国专利> 一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法

一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法

摘要

本发明属于集成电路技术领域,具体涉及一种改进的NiO基电阻式随机存储器及其制备方法。该存储器单元包括衬底和金属-绝缘体-金属结构,其顶电极为铜、铝等可用于互连工艺中的金属薄膜,阻变绝缘体为Al

著录项

  • 公开/公告号CN102005536A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2011-04-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 复旦大学;

    申请/专利号CN201010508181.0

  • 申请日2010-10-15

  • 分类号H01L45/00;

  • 代理机构上海正旦专利代理有限公司;

  • 代理人陆飞

  • 地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号

  • 入库时间 2023-12-18 01:52:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-19

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L45/00 申请公布日:20110406 申请日:20101015

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-06-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L45/00 申请日:20101015

    实质审查的生效

  • 2011-04-06

    公开

    公开

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