公开/公告号CN101965634A
专利类型发明专利
公开/公告日2011-02-02
原文格式PDF
申请/专利权人 最高科研理事会;
申请/专利号CN200980106962.2
申请日2009-01-23
分类号H01L21/68;H01L23/16;
代理机构上海专利商标事务所有限公司;
代理人茅翊忞
地址 西班牙马德里
入库时间 2023-12-18 01:39:26
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-10-10
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/68 申请公布日:20110202 申请日:20090123
发明专利申请公布后的视为撤回
2011-03-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/68 申请日:20090123
实质审查的生效
2011-02-02
公开
公开
机译: 用于在微电子衬底上选择性沉积薄膜的自对准金属掩模组件及其使用方法
机译: 用于在微电子基体和器件上选择性沉积薄膜的自对准金属膜组件及其使用方法
机译: 用于在微电子基体和器件上选择性沉积薄膜的自对准金属膜组件及其使用方法