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透明导电性膜和用于制造透明导电性膜的方法

摘要

本发明涉及一种透明导电性膜及其制造方法。该透明导电性膜包括:透光的膜基材、在膜基材上设置的碳纳米管层、以及透光并沉积在碳纳米管层上的金属氧化物层,该金属氧化物层设置有裂纹。

著录项

  • 公开/公告号CN101930808A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 索尼公司;

    申请/专利号CN201010199980.4

  • 发明设计人 丸山竜一郎;

    申请日2010-06-10

  • 分类号H01B5/14;H01B13/00;B32B9/04;B32B27/06;B32B3/14;

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人吴孟秋

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2023-12-18 01:35:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-11-05

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01B5/14 申请公布日:20101229 申请日:20100610

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2011-02-16

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B5/14 申请日:20100610

    实质审查的生效

  • 2010-12-29

    公开

    公开

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