首页> 中国专利> 利用透射光谱法测量涂层UV隔离性的方法

利用透射光谱法测量涂层UV隔离性的方法

页面导航

摘要

本发明涉及一种利用透射光谱法测量涂层UV隔离性的方法，其特征在于：将准备好的带有涂层的载物片放置在测试光路中，将与其一组的参比片置入参考光路中；载物光束和参考光束都经过单色器并被相同的色散，然后通过出口狭缝聚焦到探测器上；当测试光通过被测涂层后，光源的强度由I

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-09-17

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N21/59 申请公布日:20101229 申请日:20090624

发明专利申请公布后的视为撤回
2012-11-14

实质审查的生效 IPC(主分类):G01N21/59 申请日:20090624

实质审查的生效
2010-12-29

公开

公开

1. 利用透射光谱法测量涂层UV隔离性的方法 [P] . 中国专利： CN101929957A . 2010-12-29
2. 基于积分球反射及透射的半透明材料光谱法向发射率测量方法 [P] . 中国专利： CN103472039A . 2013-12-25
3. Method of measuring the wafer edge band with transmission spectroscopy, and a process for controlling the temperature uniformity of the wafer [P] . 日本专利： JP4808889B2 . 2011-11-02

机译：用透射光谱法测量晶片边缘带的方法以及控制晶片温度均匀性的方法
4. Method of wafer band-edge measurement using transmission spectroscopy and a process for controlling the temperature uniformity of a wafer [P] . 美国专利： US6891124B2 . 2005-05-10

机译：使用透射光谱法的晶片带边缘测量方法和控制晶片的温度均匀性的方法
5. Method of wafer band-edge measurement using transmission spectroscopy and a process for controlling the temperature uniformity of a wafer [P] . 美国专利： US2002189757A1 . 2002-12-19

机译：使用透射光谱法的晶片带边缘测量方法和控制晶片的温度均匀性的方法