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高功率单模输出的微型半导体激光二极管及其制造方法

摘要

本发明高功率单模输出的微型半导体激光二极管及其制造方法,公开了一种非矩形谐振腔半导体激光二极管及其制造方法。谐振腔的两端与垂直出光端面靠近部分呈矩形单通道波导结构,谐振腔中间部分包括至少一个通道的波导结构,在保持谐振腔直线总长度不变以及激光二级管体积不变的情况下增加激光二极管的峰值光输出功率,使得在同尺寸衬底上的芯片产品率得到提高,从而降低产品的成本,为高密度集成光路和超小集成空间但要求高光功率的特殊应用提供解决方案。

著录项

  • 公开/公告号CN101916963A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 厉巧云;梁文;

    申请/专利号CN201010236718.2

  • 发明设计人 厉巧云;梁文;

    申请日2010-07-26

  • 分类号H01S5/10(20060101);H01S5/32(20060101);

  • 代理机构36100 江西省专利事务所;

  • 代理人黄新平

  • 地址 245400 安徽省休宁县海阳镇南街村三组厚田里01号

  • 入库时间 2023-12-18 01:26:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-04-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01S5/10 公开日:20101215 申请日:20100726

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2011-02-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/10 申请日:20100726

    实质审查的生效

  • 2010-12-15

    公开

    公开

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