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非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置

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本发明提供非易失性存储元件和其制造方法、以及使用该非易失性存储元件的非易失性半导体装置。该非易失性存储元件包括：第一电极(103)；第二电极(108)；和介于第一电极(103)与第二电极(107)之间，电阻值根据施加于两电极(103)、(108)间的电信号可逆地变化的电阻变化层(107)，该电阻变化层(107)至少具有叠层有第一含铪层和第二含铪层的叠层构造，该第一含铪层具有以HfO_x(其中，0.9≤x≤1.6)表示的组成，该第二含铪层具有以HfO_y(其中，1.8＜y＜2.0)表示的组成。

著录项

公开/公告号CN101978496B

专利类型发明专利
公开/公告日2012-11-07

原文格式PDF
申请/专利权人松下电器产业株式会社;
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申请/专利号CN200980100360.6
发明设计人三谷觉;神泽好彦;片山幸治;高木刚;
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申请日2009-07-01
分类号H01L27/10(20060101);H01L45/00(20060101);H01L49/00(20060101);
代理机构11322 北京尚诚知识产权代理有限公司;
代理人龙淳
地址日本大阪府
入库时间 2022-08-23 09:11:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2020-06-26

专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/10 登记生效日:20200608 变更前: 变更后: 申请日:20090701

专利申请权、专利权的转移
2012-11-07

授权

授权
2012-11-07

授权

授权
2011-03-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/10 申请日:20090701

实质审查的生效
2011-03-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/10 申请日:20090701

实质审查的生效
2011-02-16

公开

公开
2011-02-16

公开

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