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R-莫达非尼新晶型及其制备方法

摘要

本发明提供一种R-莫达非尼的新晶型,其产生的X-射线衍射光谱在下列晶面间距包括强度峰:8.30,4.21,3.96();还包括强度峰:12.63,6.19,4.38,4.25,3.93,2.23()和包含10.7,21.1和22.4度以及的7.0,14.3,20.2,20.9,22.6和40.5度2θ。该种R-莫达非尼新晶型的制备包括以下步骤:氨化物使用乙酸乙酯和无水乙醇组成的混合溶剂结晶得到R-莫达非尼粗品;将上述R-莫达非尼粗品通过无水乙醇重结晶得到R-莫达非尼晶型A。本发明的R-莫达非尼晶型A具有热力学稳定,且流动性好,易于加工成制剂产品等优点,另外本发明提供的R-莫达非尼晶型A的制备方法对环境友好,还具有收率高、易于工业化操作的特点。

著录项

  • 公开/公告号CN101898983A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-12-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200910103964.8

  • 发明设计人 左小勇;姚全兴;

    申请日2009-05-27

  • 分类号C07C317/44;C07C315/06;

  • 代理机构重庆博凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人张先芸

  • 地址 400060 重庆市南岸区南坪经济技术开发区双龙路2号

  • 入库时间 2023-12-18 01:13:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-02-13

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C07C317/44 申请公布日:20101201 申请日:20090527

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-12-01

    公开

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