提高外延生长后套刻精度的方法

摘要

本发明公开了一种提高外延生长后套刻精度的方法，包括以下步骤：在衬底上光刻形成零标层，零标层图形切面结构低于衬底；在形成零标层后的衬底上沉积产生保护层，保护层填充所述零标层；利用干法或湿法工艺进行回刻，去除衬底表面以上的保护层；在衬底上生长外延层。本发明可以避免出现外延后，零标区域被平坦化无法测量的问题，大大提高测量外延生长中套刻精度的精确度。使小尺寸外延产品的生产成为可能。