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反及闸记忆体阵列格、反及闸快闪记忆体及其资料处理方法

摘要

本发明提供了一种可在热载流子注入方案中编程的反及闸记忆体阵列格,一种具有所述反及闸记忆体阵列格的反及闸快闪记忆体,以及一种用于所述反及闸快闪记忆体的资料处理方法。所述反及闸记忆体阵列格包括一个选择晶体管和至少两个储存晶体管。所述反及闸记忆体阵列格可透过控制体偏压和加入于一闸极的一电压,而在所述热载子注入方案中进行编程。

著录项

  • 公开/公告号CN101809671A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-08-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 崔雄林;

    申请/专利号CN200880109689.4

  • 发明设计人 崔雄林;

    申请日2008-09-10

  • 分类号

  • 代理机构北京华夏博通专利事务所;

  • 代理人刘俊

  • 地址 韩国京畿道

  • 入库时间 2023-12-18 00:39:50

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-06-05

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C16/02 申请公布日:20100818 申请日:20080910

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-10-06

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C16/02 申请日:20080910

    实质审查的生效

  • 2010-08-18

    公开

    公开

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