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磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法

摘要

提供了一种磁轨、信息存储装置和操作该信息存储装置的方法。所述磁轨包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一磁畴区域和第二磁畴区域。第一磁畴区域和第二磁畴区域中较长的磁畴区域用作信息读/写区域。所述信息存储装置包括磁轨。所述磁轨包括多个磁畴区域和在相邻磁畴区域之间形成的磁畴壁区域。所述多个磁畴区域包括第一磁畴区域和至少一个第二磁畴区域,所述至少一个第二磁畴区域的长度小于第一磁畴区域的长度。所述信息存储装置还包括第一单元和磁畴壁移动单元,其中,所述第一单元被构造为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个,所述磁畴壁移动单元被构造为移动磁畴壁区域的磁畴壁。

著录项

  • 公开/公告号CN101751988A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-06-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三星电子株式会社;

    申请/专利号CN200910253967.X

  • 申请日2009-12-11

  • 分类号G11C11/02;G11C11/16;

  • 代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;

  • 代理人王青芝

  • 地址 韩国京畿道水原市

  • 入库时间 2023-12-18 00:18:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-09-02

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G11C11/02 申请公布日:20100623 申请日:20091211

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2012-01-04

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C11/02 申请日:20091211

    实质审查的生效

  • 2010-06-23

    公开

    公开

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