公开/公告号CN101781749A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-07-21
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院半导体研究所;
申请/专利号CN201010106765.5
申请日2010-02-03
分类号C23C14/08;C23C14/35;C23C14/58;
代理机构中科专利商标代理有限责任公司;
代理人汤保平
地址 100083 北京市海淀区清华东路甲35号
入库时间 2023-12-18 00:05:42
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-03-21
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/08 公开日:20100721 申请日:20100203
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-09-15
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/08 申请日:20100203
实质审查的生效
2010-07-21
公开
公开
机译: 通过同时注入O和As离子以及包括相同方法制造的P型ZnO薄膜的二极管制造P型ZnO薄膜的方法
机译: 电感耦合等离子体化学气相沉积ICP-CVD设备,使用ICP-CVD设备制造没有任何掺杂工艺的P型ZnO薄膜的系统和方法以及光功率化合物半导体
机译: 电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)设备,系统和方法,用于通过使用ICP-CVD设备和光功率复合半导体在没有任何掺杂过程的情况下制造p型Zno薄膜