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Nb-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法

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摘要

本发明涉及表面传导电子发射薄膜材料，公开了一种Nb-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法。它包括以下步骤：在N

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-09-05

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/35 公开日:20100714 申请日:20100325

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-09-15

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20100325

实质审查的生效
2010-07-14

公开

公开

1. Nb-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN101775589A . 2010-07-14
2. Zr-Si-N纳米双相结构表面传导电子发射薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN101775577A . 2010-07-14
3. CARBON NANOSTRUCTURE FOR ELECTRON EMITTER, ITS PREPARATION METHOD, AND PREPARATION METHOD OF CATHODE FOR ELECTRON EMITTER BY USEING CARBON NANOSTRUCTURE [P] . 韩国专利： KR20050082973A . 2005-08-24

机译：电子发射体的碳纳米结构及其制备方法和利用碳纳米结构的电子发射体阴极的制备方法
4. Carbon nanostructure for electron emitter, its preparation method, and preparation method of cathode for electron emitter by useing carbon nanostructure [P] . 韩国专利： KR100578269B1 . 2006-05-11

机译：电子发射体的碳纳米结构，其制备方法以及利用碳纳米结构制备电子发射体的阴极的方法
5. A process for preparation of structured surfaces with a carrier layer coated with nano particles useful for preparation of structured surfaces or films [P] . 德国专利： DE10233831A1 . 2004-02-12

机译：具有用于涂覆结构化表面或薄膜的载体的涂覆有纳米颗粒的载体层的结构化表面的制备方法