一种可提高外延质量且降低成本的外延反应腔清洗方法

摘要

本发明提供了一种可提高外延质量且降低成本的外延反应腔清洗方法。现有技术采用在1000摄氏度以上的高温下对反应腔进行30分钟及其以上时间的氯化氢气体清洗，从而造成晶圆承载盘上表面颗粒扩散性的提高和使用寿命降低，进而在进行外延工艺时表面颗粒扩散至外延且在外延上形成堆垛层错。本发明先在1000摄氏度以上的高温下对反应腔进行10至20分钟的氯化氢气体清洗，之后再将反应腔调控至沉积温度和沉积压力，并通入气态硅源在晶圆承载盘上沉积20至100纳米的多晶硅。本发明可将晶圆承载盘包覆起来，避免其表面颗粒在外延上形成堆垛层错且影响外延工艺的外延质量，另外可提高晶圆承载盘的使用寿命，有效降低成本。