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通过反应蒸发进行的原位薄膜的生长

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摘要

本发明公开了通过反应蒸发进行的原位薄膜的生长。一种在衬底上原位形成MgB

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-04-25

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/24 公开日:20100512 申请日:20041116

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-06-30

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/24 申请日:20041116

实质审查的生效
2010-05-12

公开

公开

1. 通过反应蒸发进行的原位薄膜的生长 [P] . 中国专利： CN101705469A . 2010-05-12
2. 通过反应蒸发进行的原位薄膜的生长 [P] . 中国专利： CN1890400A . 2007-01-03
3. Growth of in-situ thin films by reactive evaporation [P] . 美国专利： US7439208B2 . 2008-10-21

机译：通过反应蒸发生长原位薄膜
4. GROWTH OF IN-SITU THIN FILMS BY REACTIVE EVAPORATION [P] . IN2006KN01207A . 2007-04-27

机译：反应蒸发法原位薄膜的生长
5. GROWTH OF IN-SITU THIN FILMS BY REACTIVE EVAPORATION [P] . 韩国专利： KR20060127859A . 2006-12-13

机译：反应蒸发法原位薄膜的生长