非晶质复合氧化膜、结晶质复合氧化膜、非晶质复合氧化膜的制造方法、结晶质复合氧化膜的制造方法及复合氧化物烧结体

摘要

本发明涉及膜，其特征在于，实质上包含铟、锡、镁和氧，锡以Sn/(In+Sn+Mg)的原子数比为5～15％的比例含有，镁以Mg/(In+Sn+Mg)的原子数比为0.1～2.0％的比例含有，剩余部分包含铟和氧，并且通过在260℃以下的温度下进行退火，膜结晶化，膜的电阻率为0.4mΩ以下。本发明的目的在于提供ITO基膜、该膜的制造方法以及用于制造该膜的烧结体，所述ITO基膜具有如下特性：通过将用于平板显示器用显示电极等的ITO基薄膜在衬底无加热的状态下、在成膜时不添加水而进行溅射成膜，得到非晶质的ITO基膜，并且该ITO基膜通过在260℃以下的不太高的温度下进行退火而结晶化，结晶化后的电阻率降低。