用于保持可控弯液面中的液体隔离的系统、方法和装置

摘要

一种形成并使用邻近头的系统和方法。该邻近头包括头表面，该头表面包括第一区域、第二区域和内部回路区域。该第一区域包括第一平坦表面区域和多个第一分散孔。该多个第一分散孔中的每一个连接于多个第一导管中相应的一个。该多个第一分散孔位于该头表面并延伸穿过该第一平坦表面区域。该多个第一分散孔的至少一部分排列在第一排中。该第二区域包括第二平坦区域和多个第二分散孔。该多个第二分散孔中的每一个连接于多个第二导管中相应的一个。该多个第二分散孔位于该头表面并延伸穿过该第二平坦表面区域。该内部回路区域包括多个内部回路分散孔。该内部回路区域被置于该第一区域和该第二区域之间并毗邻该第一区域和该第二区域。该多个内部回路分散孔中的每一个连接于多个内部回路导管中相应的一个。该多个内部回路分散孔位于该头表面并延伸穿过该头表面。该多个内部回路分散孔中的至少一部分排列在内部回路排中。该第一排和该内部回路排大体平行。其中该多个内部回路分散孔中的每一个的边缘的第一部分凹陷入该头表面中。

说明书

背景技术

本发明大体涉及半导体制造过程，更具体地，涉及用于使用邻近头处理半导体的方法和系统。

在半导体芯片制造过程中，众所周知，在执行会在晶片表面上留下不想要的残留的制造操作时需要清洁和干燥该晶片。这种制造操作的一种实施例包括等离子体刻蚀和化学机械抛光(CMP)。在CMP中，晶片被放置于夹具中，该夹具将晶片表面推向抛光表面。粉浆可包括化学制品和研磨材料，以进行抛光。不幸的是，这种工艺经常在该晶片表面留下粉浆微粒和残留的积聚物。如果被留在晶片上的话，不想要的残留材料和微粒可能导致缺陷，比如该晶片表面上的划痕以及金属化特征之间不恰当的相互作用，以及其它事情。在一些情况下，这种缺点可能致使该晶片上的器件变得不能运作。为了避免丢弃具有不运作器件的晶片的不当损失，因此在留下不想要的残留的制造操作之后，必须充分而高效地清洁该晶片。

晶片被湿法清洁之后，必须有效干燥该晶片以防止水或清洁流体残余物在该晶片上留下残留。如果允许晶片表面上的清洁流体蒸发(当液滴形成时这经常发生)，在蒸发之后，先前溶解在该清洁流体中的残留或污染物会留在该晶片表面上(例如，并形成污点)。为了防止发生蒸发，必须尽快地除去该清洁流体，不让液滴在该晶片表面上形成。

在实现此目标的努力中，使用一些不同的干燥技术中的一种，比如旋转干燥等。这些干燥技术利用晶片表面上某种形式的移动液体/气体界面，如果维持地适当的话，这能够干燥晶片表面而不形成液滴。不幸的是，如果该移动液体/气体界面破裂(这在使用上述干燥方法时经常发生)，液滴形成并发生蒸发，导致污染物和/或污点留在该晶片表面上。

鉴于此，需要能够最小化基片表面上液滴的影响或者大体上消除液滴在基片表面上形成的干燥技术。

发明内容

大体上讲，本发明通过提供一种改进的邻近头以及一种使用该改进的邻近头的系统和方法而满足了这些需要。应当理解，本发明可以用许多方式实现，包括工艺、装置、系统、计算机可读介质或器件。下面描述本发明的几个创新性的实施方式。

一个实施方式提供一种邻近头。该邻近头包括头表面，该头表面包括第一区域、第二区域和内部回路区域。该第一区域包括第一平坦表面区域和多个第一分散孔。该多个第一分散孔中的每一个连接于多个第一导管中相应的一个。该多个第一分散孔位于该头表面并延伸穿过该第一平坦表面区域。该多个第一分散孔的至少一部分排列在第一排中。该第二区域包括第二平坦区域和多个第二分散孔。该多个第二分散孔中的每一个连接于多个第二导管中相应的一个。该多个第二分散孔位于该头表面并延伸穿过该第二平坦表面区域。该内部回路区域包括多个内部回路分散孔。该内部回路区域被置于该第一区域和该第二区域之间并毗邻该第一区域和该第二区域。该多个内部回路分散孔中的每一个连接于多个内部回路导管中相应的一个。该多个内部回路分散孔位于该头表面并延伸穿过该头表面。该多个内部回路分散孔中的至少一部分排列在内部回路排中。该第一排和该内部回路排大体平行。其中该多个内部回路分散孔中的每一个的边缘的第一部分凹陷入该头表面中。

该第一区域还包括多个第三分散孔，该多个第三分散孔中的每一个连接于多个第三导管中相应的一个。该多个第三分散孔位于该头表面并延伸穿过该第一平坦表面区域。该多个第三分散孔的至少一部分排列在第三排中。该第三排大体平行于该第一排并被置于相对该界面排的该第一排的一侧。

该多个第一导管耦合于第一液体源并被配置为向该头表面提供第一液体。该第二导管耦合于第二液体源并被配置为向该头表面提供第二液体。该多个内部回路导管和该多个第三导管耦合于真空源并被配置为从该头表面除去该第一液体的至少一部分。

该多个内部回路分散孔的每一个的边缘的该凹陷的第一部分以第一角度凹陷入该头表面内，该第一角度形成从该多个内部回路分散孔的每一个的边缘的该凹陷的第一部分向该第一排延伸出第一距离的倒角(chamfer)。

该多个内部回路分散孔的每一个的边缘的该凹陷的第一部分包括在凹陷的第一成角度部分内，该凹陷的第一成角度部分在该多个内部回路分散孔的每一个处具有第一凹陷边缘，且该凹陷的第一成角度部分包括与该头表面相交的第二凹陷边缘，且其中该凹陷的第一成角度部分从该内部回路排向该第一排延伸出第一距离。

该凹陷的第一成角度部分可包括多于一个成角度部分。该凹陷的第一成角度部分可包括一个或多个弯曲部分。该第一凹陷边缘包括从该凹陷的第一成角度部分到该多个内部回路分散孔的每一个的弯曲部分。

该多个第二分散孔的至少一部分可排列在第二排中。该第二排和该内部回路排大体平行。该第二排与该第一排相对且其中该第二区域进一步包括多个第五分散孔和多个第六分散孔。该多个第五分散孔中的每一个连接于多个第五导管中相应的一个，该多个第六分散孔中的每一个连接于多个第六导管中相应的一个。该多个第五分散孔和该多个第六分散孔位于该头表面并延伸穿过该第二平坦表面区域。该多个第五分散孔的至少一部分排列在第三排中，该多个第六分散孔的至少一部分排列在第五排中。该第三排和该第四排的至少一部分大体平行于该第二排。该第三排被置于相对该内部回路排的该第二排的一侧，该第四排被置于相对该第二排的该第三排的一侧。

该多个第一导管可耦合于第一液体源并被配置为向该头表面提供第一液体，该多个第二导管耦合于第二液体源并被配置为向该头表面提供第二液体，该多个内部回路导管和该多个第五导管被配置为从该头表面除去该第一液体的至少一部分，该多个第六导管被配置为向该头表面提供第一流体，该第一流体不同于该第一液体和该第二液体。

该第二区域可包括具有成角度表面的突起。该成角度表面具有第一边缘，该第一边缘与该第二排和该内部回路排之间的该头表面相交。该成角度表面具有靠近该内部回路排的第二边缘。该第二边缘从该头表面突出突起距离，该突起距离小于该头表面和待处理表面之间的距离。该成角度表面可与该头表面以约1度到约89度之间的角度相交。该成角度表面可包括多于一个成角度表面。该多于一个成角度表面的至少一个大体平行于该头表面。

该多个第二导管的至少一部分可与该头表面以约10度到约90度之间的角度相交并朝向该内部回路排。该第一平坦表面区域和该第二平坦表面区域中的至少一个的至少一部分可以是弯曲的。

另一个实施方式提供一种邻近头。该邻近头包括头表面，该头表面包括第一区域、第二区域和内部回路区域。该第一区域包括第一平坦表面区域和多个第一分散孔。该多个第一分散孔中的每一个连接于多个第一导管中相应的一个。该多个第一分散孔位于该头表面并延伸穿过该第一平坦表面区域。该多个第一分散孔的至少一部分排列在第一排中。该第二区域包括第二平坦区域和多个第二分散孔。该多个第二分散孔中的每一个连接于多个第二导管中相应的一个。该多个第二分散孔位于该头表面并延伸穿过该第二平坦表面区域。该内部回路区域包括多个内部回路分散孔。该内部回路区域被置于该第一区域和该第二区域之间并毗邻该第一区域和该第二区域。该多个内部回路分散孔中的每一个连接于多个内部回路导管中相应的一个。该多个内部回路分散孔位于该头表面并延伸穿过该头表面。该多个内部回路分散孔中的至少一部分排列在内部回路排中。该第一排和该内部回路排大体平行。该第二区域包括有成角度表面的突起，该成角度表面具有第一边缘，该第一边缘与该第二排和该内部回路排之间的该头表面相交，该成角度表面具有靠近该内部回路排的第二边缘，该第二边缘从该头表面突出突起距离，该突起距离小于该头表面和待处理表面之间的距离。

另一个实施方式提供一种邻近头。该邻近头包括头表面，该头表面包括第一区域、第二区域和内部回路区域。该第一区域包括第一平坦表面区域和多个第一分散孔。该多个第一分散孔中的每一个连接于多个第一导管中相应的一个。该多个第一分散孔位于该头表面并延伸穿过该第一平坦表面区域。该多个第一分散孔的至少一部分排列在第一排中。该第二区域包括第二平坦区域和多个第二分散孔。该多个第二分散孔中的每一个连接于多个第二导管中相应的一个。该多个第二分散孔位于该头表面并延伸穿过该第二平坦表面区域。该内部回路区域包括多个内部回路分散孔。该内部回路区域被置于该第一区域和该第二区域之间并毗邻该第一区域和该第二区域。该多个内部回路分散孔中的每一个连接于多个内部回路导管中相应的一个。该多个内部回路分散孔位于该头表面并延伸穿过该头表面，该多个内部回路分散孔中的至少一部分排列在内部回路排中。该第一排和该内部回路排大体平行。其中该多个第二导管的至少一部分与该头表面以约10度到约90度之间的角度相交并朝向该内部回路排。

又一个实施方式提供一种邻近头。该邻近头包括头表面，该头表面包括第一区域、第二区域和内部回路区域。该第一区域包括第一平坦表面区域和多个第一分散孔。该多个第一分散孔中的每一个连接于多个第一导管中相应的一个。该多个第一分散孔位于该头表面并延伸穿过该第一平坦表面区域。该多个第一分散孔的至少一部分排列在第一排中。该第二区域包括第二平坦区域和多个第二分散孔。该多个第二分散孔中的每一个连接于多个第二导管中相应的一个。该多个第二分散孔位于该头表面并延伸穿过该第二平坦表面区域。该内部回路区域包括多个内部回路分散孔。该内部回路区域被置于该第一区域和该第二区域之间并毗邻该第一区域和该第二区域。该多个内部回路分散孔中的每一个连接于多个内部回路导管中相应的一个。该多个内部回路分散孔位于该头表面并延伸穿过该头表面。该多个内部回路分散孔中的至少一部分排列在内部回路排中。该第一排和该内部回路排大体平行。该多个内部回路分散孔的每一个的边缘的第一部分凹陷入该头表面且该第二区域包括有成角度表面的突起。该成角度表面具有第一边缘且该第一边缘与该第二排和该内部回路排之间的该头表面相交。该成角度表面具有靠近该内部回路排的第二边缘，该第二边缘从该头表面突出突起距离，该突起距离小于该头表面和待处理表面之间的距离。该多个第二导管的至少一部分与该头表面以约10度到约90度之间的角度相交并朝向该内部回路排。

再一个实施方式提供一种形成弯液面的方法。该方法包括移动邻近头靠近待处理表面。该邻近头包括头表面，该头表面包括第一区域、第二区域和内部回路区域。该第一区域包括第一平坦表面区域和多个第一分散孔。该多个第一分散孔中的每一个连接于多个第一导管中相应的一个。该多个第一分散孔位于该头表面并延伸穿过该第一平坦表面区域。该多个第一分散孔的至少一部分排列在第一排中。该第二区域包括第二平坦区域和多个第二分散孔。该多个第二分散孔中的每一个连接于多个第二导管中相应的一个。该多个第二分散孔位于该头表面并延伸穿过该第二平坦表面区域。该内部回路区域包括多个内部回路分散孔。该内部回路区域被置于该第一区域和该第二区域之间并毗邻该第一区域和该第二区域。该多个内部回路分散孔中的每一个连接于多个内部回路导管中相应的一个。该多个内部回路分散孔位于该头表面并延伸穿过该头表面。该多个内部回路分散孔的至少一部分排列于内部回路排中，该第一排和该内部回路排大体平行。该方法进一步包括在该头表面和该待处理表面之间形成双液体弯液面并通过该内部回路除去该第一液体和该第二液体的一部分，包括将靠近该内部回路的第一液体的速度减少为第一速度且其中该第一速度小于该靠近该内部回路的第二液体的第二速度。也可增加靠近该内部回路的该第二速度。

又一个实施方式提供一种形成弯液面的方法，该方法包括移动邻近头靠近待处理表面。该邻近头包括头表面，该头表面包括第一区域、第二区域和内部回路区域。该第一区域包括第一平坦表面区域和多个第一分散孔。该多个第一分散孔中的每一个连接于多个第一导管中相应的一个。该多个第一分散孔位于该头表面并延伸穿过该第一平坦表面区域。该多个第一分散孔的至少一部分排列在第一排中。该第二区域包括第二平坦区域和多个第二分散孔。该多个第二分散孔中的每一个连接于多个第二导管中相应的一个。该多个第二分散孔位于该头表面并延伸穿过该第二平坦表面区域。该内部回路区域包括多个内部回路分散孔。该内部回路区域被置于该第一区域和该第二区域之间并毗邻该第一区域和该第二区域。该多个内部回路分散孔中的每一个连接于多个内部回路导管中相应的一个。该多个内部回路分散孔位于该头表面并延伸穿过该头表面。该多个内部回路分散孔的至少一部分排列于内部回路排中。该第一排和该内部回路排大体平行。该方法进一步包括在该头表面和该待处理表面之间形成双液体弯液面以及通过该内部回路除去该第一液体和该第二液体的一部分，包括将靠近该内部回路的第二液体的速度增加为第二速度且其中该第二速度大于该靠近该内部回路的第一液体的第一速度。

通过下面结合附图进行的详细说明，本发明的其他方面和优点会变得显而易见，其中附图是用本发明的原理的示例的方式进行描绘的。

附图说明

在下面的详细说明中，结合附图，本发明将很容易理解。

图1A描绘了，按照本发明的一个实施方式，在基片表面上执行操作的邻近头。

图1B是，按照本发明的一个实施方式，该邻近头的头表面的视图。

图1C是，按照本发明的一个实施方式，处理表面的方法操作的流程图。

图1D，按照本发明的一个实施方式，邻近头系统的简图

图2A是，按照本发明的一个实施方式，双输入邻近头的侧视图。

图2B是，按照本发明的一个实施方式，弯液面和该双输入邻近头的头表面的仰视图。

图3A是，按照本发明的一个实施方式，描绘改善第一液体和第二液体之间的隔离时执行的方法操作的流程图。

图3B是，按照本发明的一个实施方式，双输入邻近头的侧视图。

图3C和图3D是，按照本发明的实施方式，该双输入邻近头的头表面的仰视图。

图3E是，按照本发明的一个实施方式，内部回路管处的倒角(chamfer)的细节视图。

图4A是，按照本发明的一个实施方式，描绘改善第一液体和第二液体之间的隔离时执行的方法操作的流程图。

图4B是，按照本发明的一个实施方式，双输入邻近头的侧视图。

图4C和图4D是，按照本发明的实施方式，该双输入邻近头的头表面的仰视图。

图5A是，按照本发明的一个实施方式，描绘改善第一液体和第二液体之间的隔离时执行的方法操作的流程图。

图5B是，按照本发明的一个实施方式，双输入邻近头的侧视图。

图5C是，按照本发明的一个实施方式，弯液面和该双输入邻近头的头表面的仰视图。

图5D和图5E是，按照本发明的实施方式的双输入邻近头570和580的侧视图。

图6A是按照本发明的一个实施方式的双输入邻近头。

图6B是按照本发明的一个实施方式的双输入邻近头的横截面视图。

具体实施方式

现在描述几个邻近头的示例性实施方式。显然，对本领域的技术人员来说，本发明没有此处所列举的具体细节中的一些或全部仍然可以实现。

图1A描绘了，按照本发明的一个实施方式，在基片108的表面108A上执行操作的邻近头100。该邻近头100可以相对于同时非常靠近处理中的物品108的上表面108A移动。处理中的物品108可以是任何类型的物品(例如，金属物品、陶器、塑料、半导体基片或任何其它期望的物品)。应当理解，该邻近头100还可被用于处理(例如，清洁、干燥、刻蚀、镀覆等)物品108的下表面108B。

该邻近头100包括一个或多个第一导管112A，以向该邻近头的头表面110A传送第一液体112。该邻近头100还包括一个或多个第二导管114A，以向头表面110A传送第二流体114。第二流体114可能不同于第一液体112，如下面更详细地讨论的。该邻近头100还包括多个第三导管116A，以从头表面110A除去第一液体112和第二流体116。

图1B是，按照本发明的一个实施方式，邻近头100的头表面110A的视图。头表面110A包括大体平坦区域110B、110C、110D。大体平坦区域110B包括一个或多个分散孔112B，其限定对相应的第一导管112A中的一个的开口。类似地，大体平坦区域110C包括一个或多个分散孔114B，其限定对相应的第二导管114A中的一个的开口，而大体平坦区域110D包括一个或多个分散孔116B，其限定对相应的第三导管116A中的一个的开口。分散孔112B、114B和116B可以是任何想要的形状(例如，大体上圆形的、椭圆形的等)，相同或不同的尺寸。举例来说，分散孔112B可以小于或大于分散孔114B和116B。

应当理解，图1A和图1B中描绘的邻近头100是一种简化的示例性邻近头。邻近头100可以是多种不同形状和尺寸的。例如，该邻近头可能是圆形、椭圆形、环形和任何其它期望的形状的。类似地，弯液面102可能是由分散的开口112B、114B和116B的布置(arrangement)所限定的任何期望的形状，包括但不限于，圆形、椭圆形、长方形、环形、凹形等。进一步，平坦区域110B、110C和110D可以是任何形状的。举例来说，平坦区域110B可以是圆形、长方形、椭圆形或任何其它期望的形状的。包括第三分散孔116B的第二平坦区域110C可能完全包围平坦区域110B或只包围平坦区域110B的一部分。类似地，包括第二分散孔114B的第三平坦区域110D可能完全包围平坦区域110B和110C或只包围平坦区域110B和110C的一部分。举例来说，第二分散孔114B可以只局限于后缘104B和/或前缘104A和/或侧面104C和104D的一个或多个部分，如上面参考的共同待定(co-pending)申请的一个或多个中描述的，该共同待定申请因为全部目的通过参考完全并入此处。孔112B、114B、116B和相应的导管112A、114A、116A的直径在约0.004到约0.200英寸(也就是0.1毫米到约5.0毫米)之间。孔112B、114B、116B和相应的导管112A、114A、116A的直径通常为约0.030英寸(也就是说，约0.75毫米)。

图1C是，按照本发明的一个实施方式，处理表面108A的方法操作150的流程图。在操作152中，将邻近头100放置于非常靠近基片表面108A的位置以进行处理。图1A中所示的靠近距离H为从约5毫米到小于约0.5毫米。

在操作154中，从一个或多个第一导管112A和相应的分散孔112B输出液体112以在头表面110A和基片表面108A之间形成可控的、容纳的液体弯液面102。液体112的表面张力使得该液体被“固定”或吸引到头表面110A和基片表面108A两个表面上。结果是，因为液体112的表面被牵引在头表面110A和基片表面108A之间，所以形成了弯液面102的外壁104A、104B。液体112可能是用于期望的处理的任何合适的液体溶液。举例来说，液体112可以是水、去离子水(DIW)、清洁流体、刻蚀溶液、电镀液等。

在操作156中，向第三导管116A中的一个或多个施加真空。真空将液体112从弯液面102吸收到分散孔116B和相应的导管116A中。从弯液面102吸收的液体112可以多于或少于从第一导管112A流入弯液面的量。举例来说，邻近头100中的第三导管116A的数量可以大于第一导管112A的数量。进一步，当弯液面102跨越表面108A移动时，该弯液面能够从该表面集合起另外的液体和其它的污染物。

第三导管116A和相应的分散孔116B中的每一个可以至少部分围绕第一分散孔112B，从而邻近头100可以在头表面110A和基片表面108A之间容纳该弯液面。一定量的第一液体112可以流过该弯液面以提供对基片表面108A的良好控制的处理。举例来说，第一液体112可以是用于刻蚀基片表面108A的刻蚀化学物质。当该刻蚀化学物质与基片表面108A反应时，反应残留物被该刻蚀化学物质携带，而且带来的污染物会减少刻蚀化学物质的浓度和刻蚀能力。当通过第三导管116A将该刻蚀化学物质112从弯液面102吸收走时，反应残留物和其它污染物也被从该弯液面带走。同时，另外的没有被污染的刻蚀化学物质通过第一导管112A被提供给弯液面102。

在操作160中，可以使邻近头100相对于基片108(在方向122上)移动，从而使弯液面102沿着基片表面108A移动。当该弯液面沿着基片表面108A在方向122上移动时，侧面104A形成弯液面102的前缘。弯液面102能够除去基片表面108A上的污染物120。污染物120可以是液滴、固体残留或任何其它污染物及其组合(例如，液体溶液中的固体污染物)。

当该弯液面沿着基片表面108A在方向122上移动时，侧面104B形成弯液面102的后缘。弯液面102中的液体的表面张力使得基片表面108A上的基本上所有的液体与该弯液面一起被除去。用这种方式，弯液面102通过从基片表面108A除去所有的液体污染物而执行干燥操作。类似地，通过向该弯液面中的基片表面108A施加，例如，湿法刻蚀或镀覆化学物质，弯液面102可以执行干进/干出处理操作，而后缘104B会将来自刻蚀或镀覆操作的所有的液体除去。

移动弯液面102跨越基片表面108A还包括移动该弯液面跨越该基片表面并离开该基片表面的边缘到达第二表面124，如在上面参考的一个或多个共同待定申请中描述的。

在可选的操作158中，可以将第二流体114施加到基片表面108A。第二流体114可以是一种表面张力控制流体。该表面张力控制流体可以是异丙醇(IPA)蒸汽、氮气、有机化合物、己醇、乙基乙二醇、二氧化碳气体及其它可以与水混合的化合物或其组合中的一种或多种。举例来说，IPA蒸汽可以由惰性载气(比如氮气)携带并被传送到基片表面108A。

邻近头100不与基片108物理接触。只有第一液体112和第二流体114接触基片108。

邻近头100还可以包括另外的设备或加热器或其它的监视器118。这些另外的设备或加热器或其它的监视器118可被用于监控液体112或者由弯液面102施加到基片表面108A的过程。举例来说，这些另外的设备或加热器或其它的监视器118可以加热或冷却液体112并测量该表面(例如，表面108上的层的厚度或基片108的厚度或表面特征的深度)或液体112的浓度或其它化学特征(例如，pH值水平、导电率等)或所需要的任何其它方面。在上面参考的一个或多个共同待定申请中对这些实施方式进行了更加详细的描述。

图1D是，按照本发明的一个实施方式，邻近头系统170的简图。邻近头系统170包括处理室180、控制器172、真空源116′、第一液体源112′、第二流体源114′。第一液体源112′、第二流体源114′和真空源116′通过由控制器172控制的适当的控制阀或其它的流量控制机构耦合于相应的导管112、114、116。

处理室180可支持多于一种处理。举例来说，处理室180可以支持等离子体刻蚀处理和邻近头100，从而该等离子体刻蚀处理可以刻蚀该物品108，然后该邻近头可以在该单一处理室中原地漂洗、清洁并干燥该物品。处理室180还可以耦合于多个其它处理室182、184、186，比如通常被称为集群工具的。

邻近头系统170还可包括能够处理物品108的第二表面108B的第二邻近头100′。邻近头系统170还可包括用于监控应用到物品108的处理的设备174。邻近头系统170还可包括耦合于邻近头100并能够支撑和/或移动该邻近头的致动器176。

控制器172还可包括配方178。配方178限定该处理室中的各处理的参数。根据需要，控制器172耦合于处理室180和邻近头100以及该处理室的其它部分以控制该处理室中的处理。控制器172还可包括用于在处理室180的处理中实现配方178的逻辑172A。逻辑172A还可包括监视处理的结果并根据监视到的结果调整或修改该配方一个或多个方面的能力。

可以使物品108相对于邻近头100移动。举例来说，该物品可以是半导体晶片并可以相对于邻近头100旋转。类似地，物品108可以大体上被固定在单一位置上，而可以使邻近头100移动跨越该物品的表面108A。还应当理解，物品108和邻近头100两者都可以是可移动的。邻近头100的相对运动可以是大体上线性跨越表面108A，或者可以以圆形或螺旋方式移动。正如当向该表面应用特定处理时所需要的，邻近头100的运动还可以明确地从表面108A上的一个位置移动到另一个位置。

图2A是，按照本发明的一个实施方式，双输入邻近头200的侧视图。图2B是，按照本发明的一个实施方式，弯液面102和双输入邻近头200的头表面210A的仰视图。双输入邻近头200可以支持弯液面102，该弯液面102被大体上分割成第一区域202A中的第一区域弯液面102A和第二区域202B中的第二区域弯液面102B。第一区域弯液面102A和第二区域弯液面102B由内部回路217B孔划定界限，该内部回路孔217B连接于内部回路导管217A。

第一导管112和相应的孔112B与内部回路导管217A和相应的内部回路孔217B分隔开宽度W1。第二导管213A和相应的孔213B与内部回路导管217A和相应的内部回路孔217B分隔开宽度W2。宽度W1、W2可以相等或不相等。宽度W1和W2可以在小于约10毫米到大于约50毫米之间。宽度W1、W2可以在约12毫米到约19毫米之间。在一个实施方式中，宽度W1、W2中的至少一个是约38毫米。

在操作中，通过第一孔112B将第一液体112提供到弯液面102。如流向箭头212A和212B所示，第一液体112从第一孔112B流到弯液面102中。当真空源116′被施加到第一回路导管216A和内部回路导管217B时，分别通过第一回路孔216B和内部回路孔217B将第一液体112除去。

类似地，当第二液体源连接于第二导管213A时，通过第二孔213B将第二液体213提供到弯液面102。如流向箭头215A和215B所示，第二液体213从第二孔213B流入弯液面102，并且当真空源被施加到第二回路导管218A和内部回路导管217A时，分别通过第二回路孔218B和内部回路孔217B将第二液体213除去。

第一液体流速是第一液体112穿过第一孔112B并流出第一回路孔216B和内部回路孔217B的流速。第二液体流速是第二液体112穿过第二孔213B并流出第二回路孔218B和内部回路孔217B的流速。该第一液体流速通常近似等于该第二液体流速。

双输入邻近头200可用于执行两个操作，比如清洁或刻蚀和漂洗。举例来说，第一液体112可以是刻蚀化学物质而第二液体213可以是漂洗液体。结果是，当邻近头200在方向122上移动时，表面108A可以在第一区域202A中被刻蚀并在第二区域202B中被漂洗并在弯液面102的后缘104A的作用下被完全干燥。因此，只要该表面通过一次，邻近头200可以向表面108A施加干进、干出刻蚀和漂洗处理。

第一区域弯液面102A和第二区域弯液面102B的隔离可能不是永远精确的。因此，第一液体112和第二液体213可能在弯液面102的内部区域102C一定程度上混合起来。弯液面102的内部区域102C位于内部回路孔217B附近。内部区域102C中的混合物的精确的形状、宽度和浓度随着许多可操作变量的变化而变化。举例来说，第一液体112和第二液体213的相对流速，和/或弯液面102的相对速度(例如，在方向122上)可能导致或多或少的第一液体112流入第二区域202B。

内部区域102C中的混合物的形状、宽度和浓度的变化可能导致与表面108A接触的第一液体112的期望浓度的停留时间的变化。举例来说，如果第一液体112是刻蚀化学物质而且第一液体流入第二区域202B，那么第一区域202A的有效宽度D1延长，导致刻蚀化学物质在表面108A的停留时间延长。更长的停留时间使得该刻蚀化学物质刻蚀该表面108A更长的时间(例如，第一区域102A在方向122上跨越宽度D1所需的时间)，并且因此带来的刻蚀操作也增加了。类似地，如果第二液体213流入第一区域202A，然后第一液体112的停留时间减少，而且因此该刻蚀处理也减少。理想情况下，各处理变化下的第一区域弯液面102A和第二区域弯液面102B的隔离大体上是精确的(例如，宽度D1和D3大体上不变)，由此使得弯液面的内部区域102C的宽度D2最小化。

图3A是，按照本发明的一个实施方式，描绘改善第一液体112和第二液体213之间的隔离时执行的方法操作350的流程图。图3B是，按照本发明的一个实施方式，双输入邻近头的侧视图。图3C和图3D是，按照本发明的实施方式，该双输入邻近头300的头表面310A的仰视图。

在操作352中，邻近头300位于非常靠近待处理表面108A的位置。在操作354中，如上所述，在头表面310A和待处理表面108A之间形成双液体弯液面102。

在操作356中，如上所述，向内部回路导管217A施加真空。向内部回路导管217A施加真空使得第一液体212B的一部分和第二液体215B的一部分朝该内部回路孔217B流动。

在操作358中，流向内部回路孔217B的那部分第一液体212B在靠近该内部回路孔时被减缓从而该内部回路孔附近的那部分第一液体212B的速度比该内部回路孔附近的那部分第二液体215B的速度要慢。

双输入邻近头300改善了第一液体112和第二液体213之间的隔离。第一液体112和第二液体213之间的隔离是通过相对于该内部回路孔附近的第二液体的速度，减缓内部回路孔217B附近的第一液体212B的速度来改善的。内部回路孔217B附近的第一液体212B的更慢的速度大体上防止第一液体112流到第二区域202B中。

可以通过减少对该内部回路孔附近的第一液体的流量的限制，比如通过修改内部回路孔217B附近的头表面310A和表面108A之间的空间的体积，而减缓内部回路孔217B附近的第一液体112的速度。如图3B所示，该弯液面在第一回路区域306的体积相比于上述邻近头200增加了。

通过增加倒角302A，可以增加第一回路区域306的体积，如图3C所示。倒角302A从内部回路孔217B向第一孔112B延伸出距离D4。D4在约W2(如图2A所示)到约1.5mm范围内。倒角302A的深度可为距离D5。D5可在约0.1毫米到约H的一半的范围内。倒角320A可具有大体笔直的上表面302B。替代地，上表面302B可包括弯曲以进一步使第一液体212B的流量平稳。上表面302B与该邻近头的表面310A形成在约1到约89度之间的第一角度α。举例来说，该第一角度α可以是约3.2度。D4可以等于W2减去约2.0毫米，而D5可以等于0.5毫米。

通过倾斜第一回路区域304中的那部分邻近头表面302C，可以增加第一回路区域306的体积，如图3D所示。类似于倒角302A，那部分表面302C从邻近头310A的表面向内部回路孔217B倾斜。

图3E是，按照本发明的一个实施方式，在内部回路导管217A处的倒角302的细节视图。倒角302可包括多个成角度的表面362、366，多个大体平坦的表面364、370和/或弯曲的表面368及其组合。所示的倒角302包括第一成角度表面362，其与头表面310A形成第一夹角α。

还可包括第二成角度表面366，且在第一成角度表面362和第二成角度表面之间形成大体平坦的表面364。该第二成角度表面366可与头表面310A形成相应的夹角α′。角度α和α′可以相等或不相等。可选的大体平坦的表面370可以将第二成角度表面366与内部回路导管217A隔离开。

替代地，第一成角度表面362和第二成角度表面366之一或两者可以用适当的弯曲表面368代替。弯曲表面368沿着曲线形成以优化第一液体112向内部回路导管217A的流动特性。

举例来说，该弯曲表面368可以是跨越第二成角度表面366的具有大体恒定的半径的曲线。类似地，可以形成单一的弯曲表面，代替大体平坦的表面364、370和成角度表面362、366两者。替代地，弯曲表面368可以是半径不恒定的曲线，比如椭圆形曲线或者有多个半径的复杂曲线。

该第一成角度表面362具有长度D4′。D4′可以在0到D4之间。举例来说，如果形成单一的成角度表面362的话，如上面的图3B所示，那么D4′等于D4。

第一大体平坦的表面364具有长度D4″。如隔离第一成角度表面362和第二成角度表面366所期望的，D4″可以等于0到约5.0毫米。

第二成角度表面366具有长度D4″′。D4″′具有最小值0，如果不包括第二成角度表面366的话。D4″′的最大值由期望的性能特性决定。

第二大体平坦表面370具有长度D4″′。D4″″具有最小值0，如果不包括该第二大体平坦表面370的话。D4″″的最大值由期望的性能特性决定。如大体平坦、成角度和弯曲表面组合的需要，D5′可以在零到D5之间。应当理解，图3A-6B中所描绘的实施方式不是按比例绘制的，而且各特征(feature)的相对尺寸不成比例以便更容易描绘该特征。

图4A是，按照本发明的一个实施方式，描绘改善第一液体112和第二液体213之间的隔离时执行的方法操作450的流程图。图4B是，按照本发明的一个实施方式，双输入邻近头400的侧视图。图4C和图4D是，按照本发明的实施方式，双输入邻近头400的头表面410A的仰视图。

在操作452中，邻近头400位于非常靠近待处理表面108A的位置。在操作454中，如上所述，在头表面410A和待处理表面108A之间形成双液体弯液面102。

在操作456中，如上所述，向内部回路导管217A施加真空。向内部回路导管217A施加真空使得第一液体212B的一部分和第二液体215B的一部分朝该内部回路孔217B流动。

在操作458中，流向内部回路孔217B的那部分第二液体215B在那部分第二液体212B靠近该内部回路孔时的速度被增加从而该内部回路孔附近的那部分第一液体212B的速度比该内部回路孔附近的那部分第二液体215B的速度要慢。

双输入邻近头400改善了第一液体112和第二液体213之间的隔离。通过相对于该内部回路孔附近的第一液体212B的速度，增加内部回路孔217B附近的第二液体215B的速度，改善第一液体112和第二液体213之间的隔离。内部回路孔217B附近的第一液体212B的更慢的速度大体上阻止了第一液体112流到第二区域202B中。

可以通过增加对内部回路孔附近的第二液体的流量的限制，比如通过修改内部回路孔217B附近的头表面410A和表面108A之间的空间的体积，而增加第二液体212B的速度。如图4B所示，该弯液面在第二回路区域406的体积相比上述邻近头200减少了。

通过倾斜(angling)头表面410A的一部分402A，可以减少第二回路区域406的体积，如图4B和4C所示。成角度部分402A从第一孔112B附近向内部回路孔217B延伸出距离D6。成角度部分402A还可包括大体平坦部分402A′。大体平坦部分可以从内部回路孔217B向第二孔213B延伸出距离D6′。

D6在约W2(作为最大值)到约2毫米的范围内。D6′和D6″可以是D6的任何想要的部分。举例来说，D6′可以为约2.5毫米而D6″可以为约4毫米，而D6可以等于W2减去D6″和D6′。

成角度部分402A可以从头表面410A延伸出距离D7。D7可在约0.1毫米到约H/2范围内。举例来说，D7可以是约0.5毫米。

成角度部分402A与头表面410A形成在约1度到约89度之间的第二角度θ。举例来说，第二角度θ可以是约5度。

尽管所示的成角度部分402A只有单一的成角度部分和单一的平坦部分，然而应当理解，可以形成更复杂的轮廓来代替该成角度部分，该轮廓包括多个平坦的、成角度的和弯曲的表面，类似于上面图3E中详细描述的那些。举例来说，成角度部分402A可包括一个或多个弯曲部分和/或一个或多个平坦部分和一个或多个成角度部分。

通过将第二液体212B的液流导向内部回路孔217B，可以增加第二液体212B的速度。通过倾斜第二导管213A和/或提供一个或多个成角度的第三导管413A，可以将第二液体212B的液流导向内部回路孔217B，如图4D所示。形成成角度的第三导管413A以与头表面以角度ε相交。角度ε可以在约10度到约90度之间。

图5A是，按照本发明的一个实施方式，描绘改善第一液体112和第二液体213之间的隔离时执行的方法操作550的流程图。图5B是，按照本发明的一个实施方式，双输入邻近头500的侧视图。图5C是，按照本发明的一个实施方式，弯液面102和双输入邻近头500的头表面510的仰视图。

在操作552中，邻近头500位于非常靠近待处理表面108A的位置。在操作554中，如上所述，在头表面510A和待处理表面108A之间形成双液体弯液面102。

在操作556中，如上所述，向内部回路导管217A施加真空。向内部回路导管217A施加真空使得第一液体212B的一部分和第二液体215B的一部分朝该内部回路孔217B流动。

在操作558中，流向内部回路孔217B的那部分第一液体212B在靠近该内部回路孔时被减缓从而该内部回路孔附近的那部分第一液体212B的速度比该内部回路孔附近的那部分第二液体215B的速度要慢。

在操作560中，流向内部回路孔217B的一部分第二液体215B在那部分第二液体212B靠近该内部回路孔时的速度被增加从而该内部回路孔附近的那部分第一液体212B的速度比该内部回路孔附近的那部分第二液体215B的速度要慢。

双输入邻近头500改善了第一液体112和第二液体213之间的隔离。通过相对于该内部回路孔附近的第一液体212B的速度，增加内部回路孔217B附近的第二液体215B的速度，改善第一液体112和第二液体213之间的隔离。内部回路孔217B附近的第一液体212B的更慢的速度大体上阻止了第一液体112流到第二区域202B中。

通过增加内部回路孔217B附近头表面310A和表面108A之间的空间的体积，减少内部回路孔217B附近的第一液体112的速度。该弯液面在第一回路区域306的体积相比上述邻近头200增加了。

通过减少第二回路区域406的体积而增加第二液体212B的速度。还通过将第二液体213的一部分通过该成角度第二导管导向内部回路孔217B而增加第二液体212B的速度。还通过将第二液体212B的液流通过成角度第二导管413A导向内部回路孔217B而增加第二液体212B的速度。图5D和5E是，按照本发明的实施方式，双输入邻近头570和580的侧视图。上述各实施方式中的一个或多个可包括一个或多个弯曲表面572-590。

图6A是按照本发明的一个实施方式的双输入邻近头600。图6B是按照本发明的一个实施方式的双输入邻近头600的横截面视图。双输入邻近头600类似于上面描述的双输入邻近头300、400和500。可在相应的槽612、613、616、617、618中形成至少一排孔112B、213B、216B、217B、218B。

第二液体213的源623耦合于邻近头600。源623向第二导管213A供应第二液体213。第二导管213A结束于槽613中的第二孔213B中。槽613提供在第二液体到达弯液面602和处理中的表面108A之前，来自孔213B的第二液体213的分布更均匀的液流613A。

槽613具有约2.5毫米到约10毫米的深度S1。槽613具有约0.1毫米到约1.5毫米的宽度。

应当理解，尽管只详细描述了槽613，可以类似地形成其余的槽612、616、617、618。

此处所述的形成本发明的一部分的任何操作都是有用的机器操作。本发明还涉及用于执行这些操作的器件或装置。该装置可以是为了所需的目的特别制造的，或者可以是由存储在计算机中的计算机程序选择性地激活或配置的通用计算机。尤其是，可以使用写入了与此处教导相一致的计算机程序的通用机器，或者可以更方便的制造一种更加专用的装置来执行所需的操作。

本发明及其部分还可以作为计算机可读代码和/或逻辑嵌入计算机可读介质。该计算机可读介质是能够存储数据的任何的数据存储器件，其可能存储数据。该计算机可读介质的实例包括硬盘驱动器、网络存储器(NAS)、逻辑电路、只读存储器、随机存取存储器、CD-ROM、CD-R、CD-RW、磁带和其它光学和非光学数据存储器件。计算机可读介质还可以分布于通过网络连接的计算机系统中，从而分布式地存储和执行该计算机可读代码。还可以理解，上述各图中的操作所代表的指令不需要以所描绘的顺序执行，而且由该操作所代表的全部处理可能不是实现本发明所必需的。

尽管为了更清楚的理解而对前述发明做了详细描述，然而，显然，可以在所附权利要求的范围内实现某些变化和更改。相应地，所述实施方式应当被认为是描述性的而非限制性的，而且本发明不限于此处所给出的细节，而是可以在所附权利要求的范围和等同内进行更改。