锥刺形无ITO电极结构和等离子显示屏上基板的制作方法

摘要

本发明公开了一种锥刺形无ITO电极结构，包括金属电极X和金属电极Y，其中，金属电极X的放电部和金属电极X的放电部为锥刺形以形成尖端放电。本发明还公开了上述锥刺形无ITO电极结构的等离子显示屏的上基板的制作方法。由于采用锥刺形无ITO电极结构，金属电极X的放电部和金属电极Y的放电部都为锥刺形，以形成尖端放电，降低着火电压，同时遮盖面积比较小，从而增加透光率。

说明书

技术领域

本发明属于气体放电领域，具体地涉及一种锥刺形无ITO电极 结构的等离子显示屏上基板的制作方法。

背景技术

目前通用的交流气体放电等离子显示屏采用表面放电型结构， 包括一个上基板及与之封接在一起的后基板，上基板上配置有透明 电极和汇流电极，透明电极和汇流电极构成放电电极，放电电极包 括维持放电电极X和扫描放电电极Y，在放电电极的表面覆盖有一 层介质层，介质层上覆盖氧化镁保护层。后基板上配置有与放电电 极相互垂直的寻址电极，寻址电极上覆盖有一层介质层，介质层上 配置有与其寻址电极平行的条状障壁，且在条状障壁的底部覆盖有 荧光粉层，前后基板用低熔点玻璃粉封接在一起，并且在其间充有 放电气体。

对于等离子显示屏上基板来说，有采用ITO透明电极和金属 (银)汇流电极的电极结构，也有采用中间有漏光孔的金属电极的 电极结构，即ITO less的电极结构。然而，对于现有的ITO less的 电极结构来说，它对显示屏透光率的影响仍然较大，因此有待于进 一步改进。

发明内容

本发明目的在于提供了一种锥刺形无ITO电极结构，以降低着 火电压并提高显示屏的透光度。

为此，本发明提供了一种锥刺形无ITO电极结构，包括金属电 极X和金属电极Y，其中，金属电极X的放电部和金属电极X的 放电部为锥刺形以形成尖端放电。

优选地，金属电极X和金属电极Y分别为银电极。银电极宽度 为30～90um，锥刺形放电部的锥刺长度为50～120um，宽度为 3.5～6.5um。

上述锥刺形无ITO电极结构的等离子显示屏的上基板的制作方 法，包括以下步骤：

a)将上基板玻璃烧结后，送入氧化镁电子束蒸发设备的蒸发腔 体中或送入磁控溅射设备的蒸发腔体中，以制得第一氧化镁层；b) 在第一氧化镁层的表面用光刻法制得银电极X和银电极Y；c)在 银电极X和银电极Y上制作介质层；以及d)在介质层上制作第二 氧化镁层。优选地，介质层中含有氧化钙纳米材料或氧化硼纳米材 料或氧化铅纳米材料。优选地，介质层中3％～6％重量份的氧化钙 纳米材料和1％～3％重量份的氧化硼纳米材料。

根据本发明的锥刺形无ITO电极结构，其中，金属电极X的放 电部和金属电极Y的放电部都为锥刺形，以形成尖端放电，降低着 火电压，同时遮盖面积比较小，从而增加透光率。

在本发明的优选实施例中，金属电极X和金属电极Y都为银电 极，为了防止上基板玻璃发黄，用电子束蒸发的方法或磁控溅射的 方法在PDP上基板玻璃表面上形成第一氧化镁层，该氧化镁层为绝 缘层，结构细密，能够很好地阻隔银电极与玻璃的接触，防止上基 板玻璃变黄。氧化镁层的透光率为98％，与透明电极的透光率相当， 故不影响已有的透光效果。

而且，氧化镁层能产生二次电子，对上基板而言最底层和最上 层有两层氧化镁层，可增加二次电子，从而进一步降低着火电压。 另外，在形成介质层的浆料中添加一定比例的氧化铅或氧化钙或氧 化硼纳米材料，其熔点会随超细粉末的直径的减小而大大降低，从 而介质层的烧结温度在低于原来温度下，烧结的介质层的透光率与 原来较高温度下烧结的介质层的透光率相当，这样可以避免银离子 在高温下穿透氧化镁层的可能性，因而进一步减小了上基板玻璃变 黄的可能性。

应该指出，以上说明和以下详细说明都是例示性的，旨在对所 要求的本发明提供进一步的说明。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本发明还有其它的 目的、特征和优点。下面将参照图，对本发明的其它的目的、特征 和效果作进一步详细的说明。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申 请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并 不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了现有的具有ITO电极的PDP上基板放电电极结构示 意图；以及

图2示出了根据本发明实施例的无ITO电极的PDP上基板放电 电极结构示意图。

具体实施方式

下面将参考附图并结合实施例，来详细说明本发明。

图1示意性地示出了现有的具有ITO的PDP上基板放电电极结 构，图中，11a，12a为透明电极，11b为金属电极X，12b为金属 电极Y。

图2示意性地示出了根据本发明实施例的无ITO的PDP上基板 放电电极结构。图中，11b为金属电极X，12b为金属电极Y。如图 2所示，根据本发明实施例的一种锥刺形无ITO电极结构，包括金 属X电极11b和金属Y电极12b，其中，金属X电极11B的放电 部111和金属Y电极12b的放电部121为锥刺形以形成尖端放电。

优选地，金属X电极11b和金属Y电极12b可以为银电极。 银电极宽度为30～90um，锥刺形放电部的锥刺长度为50～120um， 宽度为3.5～6.5um。

本发明提供的锥刺形无ITO电极结构的等离子显示屏的上基板 的制作方法，包括以下步骤：

根据曝光原理，1)热胀冷缩原理，初步设计掩模板图形；2) 根据工艺的实验参数，对以上数值进行校正，最终确定掩模板图形； 3)无ITO上基板玻璃进行烧结，优选地进行585℃烧结，然后，送 入氧化镁电子束蒸发设备或磁控溅射设备的蒸发腔体中，形成氧化 镁隔离层，优选地，氧化镁隔离层为1500～2800埃厚；4)在氧化 镁隔离层上采用光刻法形成蜂刺形银电极；5)电极上印刷介质，优 选地，介质层中含有氧化钙纳米材料或氧化硼纳米材料或氧化铅纳 米材料。优选地，介质层中含3％～6％重量份的氧化钙纳米材料和 1％～3％重量份的氧化硼纳米材料。

由于采用锥刺形无ITO电极结构，金属X电极11a的放电部和 金属Y电极11b的放电部都为锥刺形，以形成尖端放电，降低着火 电压，同时遮盖面积比较小，从而增加透光率。

在本发明的优选实施例中，金属X电极11a和金属Y电极11b 都为银电极，为了防止上基板玻璃发黄，用电子束蒸发的方法或磁 控溅射的方法在PDP上基板玻璃表面上形成第一氧化镁层，该氧化 镁层为绝缘层，结构细密，能够很好地阻隔银电极与玻璃的接触， 防止上基板玻璃变黄。氧化镁层的透光率为98％，与透明电极的透 光率相当，故不影响已有的透光效果。

而且，氧化镁层能产生二次电子，对上基板而言最底层和最上 层有两层氧化镁层，可增加二次电子，从而进一步降低着火电压。 另外，在形成介质层的浆料中添加一定比例的氧化铅或氧化钙或氧 化硼纳米材料，其熔点会随超细粉末的直径的减小而大大降低，从 而介质层的烧结温度在低于原来温度下，烧结的介质层的透光率与 原来较高温度下烧结的介质层的透光率相当，这样可以避免银离子 在高温下穿透氧化镁层的可能性，因而进一步减小了上基板玻璃变 黄的可能性。

以上所述仅为本发明的实施例而已，并不用于限制本发明，对 于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本 发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均 应包含在本发明的权利要求范围之内。