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室温条件下制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法

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摘要

本发明公开的室温条件下制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法，采用的是直流反应磁控溅射法，将衬底清洗后放入反应室中，反应室真空度抽至高于2.0×10

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2011-11-23

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/35 公开日:20100519 申请日:20091214

发明专利申请公布后的视为撤回
2010-07-07

实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20091214

实质审查的生效
2010-05-19

公开

公开

1. 室温条件下制备Al掺杂ZnO透明导电薄膜的方法 [P] . 中国专利： CN101709453A . 2010-05-19
2. 一种类石墨烯氮化碳改性Al掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法 [P] . 中国专利： CN107689272A . 2018-02-13
3. FILM-FORMING METHOD OF CRYSTALLINE ZNO SYSTEM TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM, CRYSTALLINE ZNO SYSTEM TRANSPARENT CONDUCTIVE THIN FILM AND FILM, AS WELL AS RESISTANCE FILM TYPE TOUCH PANEL [P] . 日本专利： JP2007311041A . 2007-11-29

机译：结晶Zno系统的透明导电薄膜的成膜方法，结晶Zno系统的透明导电薄膜和电阻膜型触摸屏
4. FABRICATION METHOD OF TRANSPARENT CONDUCTIV OXIDE SUBSTRATE OF SI SOLAR CELL BASED ON AL DOPED ZNO NANO-ROD [P] . 韩国专利： KR101069066B1 . 2011-09-29

机译：基于Al掺杂ZNO纳米棒的太阳能电池透明导电氧化物基质的制备方法
5. METHOD FOR FABRICATING AL-DOPED ZNO THIN FILMS [P] . 韩国专利： KR20060009548A . 2006-02-01

机译：制备Al掺杂的ZnO薄膜的方法