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使用介电积层的激光辅助蚀刻法提供经布图处理的内嵌导电层的方法

摘要

一种提供经布图处理的导电层的方法。该方法包括:提供包含绝缘材料的积层;根据所要提供的经布图处理的导电层的预定图案对积层的选定部分进行激光照射,该激光照射包括使用具有比绝缘材料中至少一部分化学键的键能更高的光子能以形成与预定图案相对应的积层的预定激光削弱部分;去除积层的激光削弱部分以形成与预定图案对应的凹槽;并用导电材料填充这些凹槽以形成经布图处理的导电层。

著录项

  • 公开/公告号CN101689482A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-03-31

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN200880022309.3

  • 发明设计人 李永刚;

    申请日2008-06-25

  • 分类号H01L21/027(20060101);H01L21/302(20060101);

  • 代理机构31100 上海专利商标事务所有限公司;

  • 代理人钱慰民;袁逸

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 23:48:38

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-08-22

    授权

    授权

  • 2010-05-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20080625

    实质审查的生效

  • 2010-03-31

    公开

    公开

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