法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-08-22
授权
授权
2010-05-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20080625
实质审查的生效
2010-03-31
公开
公开
机译: 利用介电堆积层的激光辅助刻蚀提供图案化的嵌入式导电层的方法
机译: 闪存设备的制造NAND型闪存器件包括在使用硬掩模层作为掩模的单蚀刻设备中蚀刻导电层和介电层,其中形成控制栅极和浮置栅极。
机译: 在介电层中形成导电通孔时使用激光蚀刻和另一种蚀刻剂的组合的工艺