公开/公告号CN101699628A
专利类型发明专利
公开/公告日2010-04-28
原文格式PDF
申请/专利权人 上海宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN200910197884.3
申请日2009-10-29
分类号H01L29/73(20060101);H01L21/331(20060101);H01L21/762(20060101);
代理机构31219 上海光华专利事务所;
代理人余明伟;冯珺
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号
入库时间 2023-12-17 23:44:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2014-06-11
专利权的转移 IPC(主分类):H01L29/73 变更前: 变更后: 登记生效日:20140514 申请日:20091029
专利申请权、专利权的转移
2011-05-11
授权
授权
2010-06-23
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/73 申请日:20091029
实质审查的生效
2010-04-28
公开
公开
机译: 具有浅沟槽隔离的硅绝缘子上的可控硅整流器结构
机译: 具有浅沟槽隔离的硅绝缘子上的新型可控硅整流器结构
机译: 具有浅沟槽隔离的硅绝缘子上的可控硅整流器结构