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在金属硅化物微晶体上形成纳米结构的方法和得到的结构和器件

摘要

本发明的各个实施例涉及用于在非单晶体基底上形成纳米结构的方法和结果产生的结构和纳米级功能器件。一种用于形成纳米结构的方法包括:形成包括金属层(100)和硅层(104)的多层结构(106);将所述多层结构(106)进行热处理以形成金属硅化物微晶(110);并且在所述金属硅化物微晶上生长所述纳米结构(114)。在本发明的另一个实施例中,一种结构包括:非单晶体基底(102);在所述非单晶体基底(102)上形成的层(108),所述层包括金属硅化物微晶(110);以及在所述金属硅化物微晶(110)上形成的多个纳米结构(114)。

著录项

  • 公开/公告号CN101622193A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2010-01-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 惠普开发有限公司;

    申请/专利号CN200880006799.8

  • 发明设计人 N·科巴亚施;S·-Y·王;

    申请日2008-02-28

  • 分类号B82B3/00;

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人张雪梅

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2023-12-17 23:14:27

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2014-07-02

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):B82B3/00 申请公布日:20100106 申请日:20080228

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2010-03-03

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2010-01-06

    公开

    公开

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