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可有效去除晶圆光刻工艺过程中显影缺陷的显影方法

摘要

本发明提出一种可有效去除晶圆光刻工艺过程中显影缺陷的显影方法,其包括:使用一第一显影液对上述晶圆进行喷涂;使用一第一清洗液清洗上述晶圆;使用一第二显影液对上述晶圆进行喷涂;对上述晶圆进行显影;以及使用一第二清洗液清洗上述晶圆。该显影方法,在普通的显影制程之前增加了一步预反应并立刻冲洗的步骤。即在喷涂一次显影液后,立刻使用大量去离子水冲洗,以及时去除剧烈反应生成的大量生成物残渣,使它们没有足够的时间堆积并沉积黏附在晶圆表面,因此能够有效的去除晶圆光刻工艺过程中的显影缺陷。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-05-30

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):G03F7/30 公开日:20091125 申请日:20080520

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2010-01-20

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-11-25

    公开

    公开

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