法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-02-29
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H02M3/156 公开日:20091125 申请日:20080520
发明专利申请公布后的视为撤回
2010-02-03
地址不明的通知 收件人:胡炯 文件名称:发明专利申请公布通知书 申请日:20080520
地址不明的通知
2009-11-25
公开
公开
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 具有过流和过热保护功能的MOS门控功率半导体器件-具有MOSFET可以关闭以将栅极与输入电压隔离并限制栅极引脚下沉的电流,并且MOSFET可以将功率MOSFET栅极短路到其源极
机译: 具有集成式过流和过热保护功能的USB电缆