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蚀刻到含氧化硅材料中的方法、形成容器电容器的方法和形成动态随机存取存储器(DRAM)阵列的方法

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本发明提供在具有至少75体积％的氦的蚀刻环境下蚀刻到含氧化硅材料中的方法。所述蚀刻环境还可包括一氧化碳、O

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公开/公告号CN101553916A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-10-07

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
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申请/专利号CN200780045300.X
发明设计人拉塞尔·A·本森;
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申请日2007-11-08
分类号H01L21/8242;H01L21/311;H01L21/02;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王允方
地址美国爱达荷州
入库时间 2023-12-17 22:48:43

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-10-29

发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/8242 申请公布日:20091007 申请日:20071108

发明专利申请公布后的驳回
2009-12-02

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-10-07

公开

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