石英类单芯光纤、石英类多芯光纤及其制造方法

摘要

本发明的石英类单芯光纤、石英类多芯光纤及其制造方法，可以提高石英类多芯光纤的荧光诊断精度，并在来自观察组织的荧光检测、发光检测、光谱分析等方面改善石英类单芯光纤的S/N比。石英类单芯光纤的纤芯中具有Ge浓度15重量％以上、F浓度0.05重量％以上且2重量％以下，以在入射具有波长400nm～650nm的激发光时抑制波长600nm～800nm处的发光。石英类多芯光纤包括多个纤芯，该纤芯具有GeO

说明书

本发明基于2008年4月1日提出的日本专利申请No.P2008-095211并以其作为优先权，在此引用其全部内容作为参考。

技术领域

本发明涉及对在传输可见光区域(约400nm～约800nm左右)的光时产生的可见光区域中的发光现象进行抑制的石英类单芯光纤、石英类多芯光纤及其制造方法，特别涉及适合在利用光纤的共焦式荧光成像及荧光检测、发光检测、光谱分析等中使用的石英类单芯光纤、石英类多芯光纤及其制造方法。

背景技术

目前，以荧光诊断为主，正在利用可见光领域中的光进行荧光分析、发光检测、光谱分析，进而利用上述荧光分析、发光检测、光谱分析进行诊断、分析，特别是随着半导体激光技术的发展，所使用的波长逐渐变短。

近年来，在以消化器官科、呼吸器官科或心脏科为主的各种医疗领域中，使用内窥镜来直接观察组织表面或作为治疗的辅助器材。另外，近年来，使用内窥镜的荧光诊断法倍受关注。

荧光诊断法是利用由激发光激发的生物组织发出具有预定光谱的荧光这一特性，着眼于病变部位(癌肿瘤等)产生与正常部位不同的荧光的诊断法。

这种诊断法由于不需要过度地采集病变部位的组织，所以具有可以减轻患者负担的优点。另外，适于该诊断法的荧光诊断装置已被公开(例如参照专利文献1)。

另外，在荧光诊断法中，特别是使用多芯光纤的共焦式成像法倍受关注。根据这种方法，可以鲜明地且以高析像度来观察发出荧光的观察部位，而且可以对位于距该部位数十μm至数百μm的深度(表面下)的组织进行分析。

利用多芯光纤的共焦式荧光成像装置也已被公开(例如参照专利文献2)。

在该共焦式荧光成像装置中，对多芯光纤的多个纤芯中的一个纤芯，从入射端一侧入射例如具有波长为405nm、488nm、635nm的激发光束(输出功率：约10mW～约30mW左右、光束直径约1μm～约数μm左右)，从多芯光纤的出射端射出的激发光照射到观察对象的机体组织上。

其结果是：在比激发光的波长更长的区域中，从该机体组织发出与该组织状态相对应的自发荧光。该荧光与激发光一起通过相同的纤芯传输到入射端，分离激发光后进行预定的处理，从而获得自发荧光所具有的特定信息(光谱强度和形状)。

以每秒12帧的速度对整个光纤端面进行扫描，得到每个像素的共焦图像，由此获得2维图像。另外，由于利用同一个纤芯来进行对机体组织的激发光照射和自发荧光的传输，因此通过空间滤光效果除去来自焦平面以外的荧光，结果实现了共焦特性。

本发明的发明人通过改良在上述共焦式荧光成像法中使用的多芯光纤，为了利用共焦式荧光成像法得到高质量的图像，进行了实验，结果发现以下问题。按顺序对该实验进行说明。

图1表示适用于测定现有多芯光纤的发光光谱的发光光谱测定装置100的示意结构图。

如图1所示，适用于测定现有多芯光纤的发光光谱的发光光谱测定装置100主要由下述部分构成：射出波长为488nm的激光作为激发光的光源102、将来自光源102的激光会聚成直径约为2～3μm左右的光束的光学透镜104、入射透过光学透镜104的光束的多芯光纤106、设置在多芯光纤106的出射端的物镜108、与物镜108光学结合的CCD110。

另外，发光光谱测定装置100包括：选色镜112，来自光源102的激光透过选色镜112，并且反射由物镜108反射且依次透过多芯光纤106和光学透镜104的光；光谱分析仪114，其接受由选色镜112反射的光(由物镜108反射的光)，并对该反射光进行分析。

另外，发光光谱测定装置100中设有：XYZ镜台116，其调整多芯光纤的位置，以使光学透镜104和多芯光纤106之间光学连接；和用于降低杂音的反射滤光器118。

从光源102射出488nm的激光(单模式，例如约22mW)，通过光学透镜104进行聚光，入射到多芯光纤106的一个至数个纤芯中，用光谱分析仪114对由物镜108反射而返回的光进行分析，结果如图2所示，可以确认波长在515nm附近的比较尖锐的发光峰值和波长在约520nm～约750nm附近区域的宽范围发光。

另外，将激发光的波长设为440nm时，如图3所示，可以确认以波长在460nm附近为中心的发光峰值和波长在约500nm～约720nm左右的范围的宽范围发光。

另外，即使将激发光的波长设为635nm时，也可观察到涉及激发波长从635nm至约200nm的长波长的光成分。

来自这种可见光区域的光纤的自发荧光处于与来自观察的组织的荧光相同程度的波长区域。因此，成为荧光诊断的精度变差、S/N比降低的原因。

另外，推测出：不仅是在使用上述多芯光纤的荧光成像法中，而且在使用单芯光纤的荧光检测、发光检测、光谱分析法中，有时同样的发光现象也会产生问题。

专利文献1：日本特开平8-224240号公报

专利文献2：日本特表2005-532883号公报

发明内容

本发明的目的在于提供通过高析像度、高S/N比可以使荧光诊断精度提高的石英类多芯光纤及其制造方法。

本发明的目的在于提供在来自观察组织的荧光检测、发光检测、光谱分析等方面可以改善S/N比且提高检测精度和分析精度的石英类单芯光纤及其制造方法。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方式，提供一种石英类单芯光纤，其特征在于，纤芯中具备Ge浓度15重量％以上、F浓度0.05重量％以上且2重量％以下，并且抑制在入射具有400nm～650nm波长的激发光时波长600nm～800nm处的发光。

利用上述构成，可以得到高S/N比的石英类单芯光纤。

根据本发明的其他方式，提供一种石英类多芯光纤，其特征在于，包括多个纤芯，所述纤芯具有GeO₂-SiO₂类玻璃，所述GeO₂-SiO₂类玻璃包括Ge浓度15重量％以上、F浓度0.05重量％以上且2重量％以下，在入射400～650nm的激发光时，抑制600～800nm处的发光。

利用上述构成，可以得到高S/N比的石英类多芯光纤。

根据本发明的其他方式，提供一种石英类多芯光纤，其特征在于，包括多个纤芯，所述纤芯具有GeO₂-SiO₂类玻璃，所述GeO₂-SiO₂类玻璃包括Ge浓度15重量％以上、F浓度0.05重量％以上且2重量％以下，包层和纤芯的相对折射率差为3％以上，且包层直径与纤芯直径之比(包层/纤芯)为1.02～3.0，包括石英类包层和氯，在入射400～650nm的激发光时，抑制600～800nm处的发光。

利用上述构成，可以得到高析像度、高S/N比的石英类多芯光纤。

根据本发明的其他方式，提供一种石英类多芯光纤的制造方法，其特征在于，具有：制作为了满足预定的相对折射率分布而添加有锗的石英纤芯预制套管的工序；将上述预制套管在烧结炉中加热而进行透明玻璃化，从而形成纤芯用玻璃棒的工序；在上述纤芯用玻璃棒的外周利用等离子外包法或套管外包法，形成作为石英类多芯光纤的共用包层的石英玻璃层或加氟玻璃层或加硼玻璃层，从而形成光纤母材的工序；对上述光纤母材进行拉丝来制作具有预定外径的光纤线材的工序；以一定的长度切断上述光纤线材来制作预定条数的光纤线材的工序；以及将上述光纤线材插入到预定的石英管中，利用拉丝来制作具有预定外径的石英类多芯光纤的工序。

根据本发明的其他方式，提供一种石英类单芯光纤的制造方法，其特征在于，具有：以SiCl₄和GeCl₄作为起始原料来制作添加有锗和微量氯的石英纤芯预制套管的工序；将上述预制套管在烧结炉中并且在He气氛围中与SiF₄气体、SF₆气体或氟类气体一起加热，进行透明玻璃化，从而制作在纤芯中掺杂预定量的F的玻璃棒的工序；在上述玻璃棒的外周利用外包法形成石英包层，从而形成光纤预制件的工序；以及对上述光纤预制件进行拉丝来形成具有预定的光纤直径和纤芯直径的光纤的工序。

根据本发明的其他方式，提供一种石英类多芯光纤的制造方法，其特征在于，具有：以SiCl₄和GeCl₄作为起始原料来制作添加有锗和微量氯的石英纤芯预制套管的工序；将上述预制套管在烧结炉中与SiF₄气体、SF₆气体或氟类气体一起加热，进行透明玻璃化，从而形成在纤芯中掺杂预定量的F的玻璃棒的工序；在上述玻璃棒的外周利用外包法形成作为石英类多芯光纤的共用包层的加氟玻璃而制造光纤预制件的工序；对上述光纤预制件进行拉丝来制作具有预定外径的光纤线材的工序；以一定的长度切断上述光纤线材来制作预定条数的光纤线材的工序；以及将上述光纤线材插入到预定的石英管中，通过拉丝来制作具有预定外径的石英类多芯光纤的工序。

根据本发明的石英类多芯光纤及其制造方法，由于具有高析像度、高S/N比，所以可以提高荧光诊断的精度。

根据本发明的石英类单芯光纤及其制造方法，在来自观察组织的荧光检测、发光检测、光谱分析等方面，可以改善S/N比，提高检测精度和分析精度。

附图说明

图1是适用于现有多芯光纤的发光光谱测定的发光光谱测定装置的示意结构图。

图2是表示使波长为488nm的激发光入射到现有的多芯光纤中并对其返回光进行测定的发光光谱图。

图3是表示使波长为440nm的激发光入射到现有的多芯光纤中并对其返回光进行测定的发光光谱图。

图4是表示入射波长为408nm的激发光时的出射功率衰减率(％)与照射时间(小时)的关系的图，即，表示在波长为650nm处的出射光的发光峰值的经时变化图。

图5是本发明第一实施方式的石英类多芯光纤的示意截面结构图。

图6是表示本发明第一实施方式的石英类多芯光纤的纤芯和共用包层的折射率分布图。

图7是适用于本发明第一实施方式的石英类多芯光纤的发光光谱测定的发光光谱测定装置的示意结构图。

图8是在本发明第一实施方式的石英类多芯光纤中Ge浓度为30重量％(GeO₂)的纤芯和30重量％(GeO₂-F)的纤芯的发光强度的比较特性图。

图9是表示对于Ge浓度为0重量％、4重量％、10重量％、15重量％和26重量％的石英类单芯光纤，使用发光光谱测定装置测定的发光强度与波长的关系的图。

图10是在本发明第一实施方式的石英类单芯光纤中Ge浓度为26重量％(GeO₂)的纤芯和30重量％(GeO₂-F)的纤芯的发光强度的比较特性图。

具体实施方式

以下参照附图对本发明的实施方式进行说明，其中，为了略去重复说明，以类似的附图标记来指定类似的构件或要素，并且为了简便，以相同的附图标记来指定一些层和它们的附加区域。附图为示意图，并不是实际图，因此在规格、比例等方面可以存在不一致。

下述实施方式为本发明的技术方案和主旨，但本发明并不限于这些实施方式，可以在不偏离权利要求的主旨和范围的前提下进行变更。

另外，附图仅是示意地表示实施方式涉及的石英类多芯光纤。因此，应该注意纤芯的直径与包层的直径的比例等并不限于实际设计所示。特别是纤芯的截面在附图中被描绘为圆，然而，实际上有时也会变形为椭圆形或多边形等。另外，在附图中纤芯以六方最密堆积状配置，但并不限定于此。

第一实施方式

(石英类多芯光纤的基本结构)

图5表示本发明第一实施方式的石英类多芯光纤的示意截面结构。

如图5所示，本发明第一实施方式的石英类多芯光纤10由图像传输用的图像圈12、覆盖图像圈12的外周的石英玻璃套14以及覆盖石英玻璃套14的外周的被覆层16构成。

如图5中放大所示，图像圈12由允许光传输并作为石英类多芯光纤10的像素发挥作用的多个纤芯1和这些多个纤芯1贯通的共用包层2构成。

共用包层2为多个纤芯1所共有。图像圈12的直径例如为约600μm，其中，形成约1万个～3万个左右的纤芯1。通过这样构成，在石英类多芯光纤10的端面上成像的图像在空间上被分割成各像素并传输到其他端面上，可以在上述其他端面上形成图像。

图6表示本发明第一实施方式的石英类多芯光纤10的纤芯1及共用包层2的折射率分布。

纤芯1由添加有折射率上升剂、例如氧化锗(GeO₂)的石英构成，如图6所示，具有在其中心部(中心轴)添加量达到最大的凸状的折射率分布。该折射率分布是以折射率分布系数α例如约为2.0～3.0左右所表示的分布。

另外，纤芯1的直径d例如约为1.0μm～10μm左右，相邻的2个纤芯1的中心之间的间隔(纤芯间隔)D例如约为3.0μm～15μm左右。另外，石英类多芯光纤10具有例如约0.30以上且约0.45以下的数值孔径(NA)。

另外，折射率分布系数α是指下式中的α。

n(r)＝n1[1-2Δ(r/a)α]1/2(0≤r≤a)

在此，n(r)表示在距纤芯1的中心轴的距离为r处的折射率，n1表示纤芯1的中心轴处的折射率，Δ表示相对于共用包层2的纤芯1的中心轴处的相对折射率差，a表示纤芯1的半径。共用包层2由纯石英或添加有作为折射率下降剂的例如氟(F)的石英构成。在共用包层2中，折射率基本恒定。

(制造方法)

这种石英类多芯光纤10可以如下制造。

(a)首先，利用VAD法(Vapor-phase Axial Deposition：气相轴向沉积法)，制造为了满足上述的折射率分布系数α而添加有例如锗(Ge)的石英纤芯预制套管。

(b)然后，将该预制套管在烧结炉中加热，进行透明玻璃化，得到纤芯用玻璃棒。

(c)接着，在该纤芯用玻璃棒的外周利用等离子外包法或套管外包法，形成作为石英类多芯光纤10的共用包层2的石英玻璃层或加氟玻璃层或加硼玻璃层，由此得到光纤母材。也可以利用PCVD法(PlasmaChemical Vapor Deposition：等离子体化学气相沉积法)或MCVD法(Modified Chemical Vapor Deposition：改良式化学气相沉积法)，制造掺氟管和掺硼管，并设置石英玻璃套14。

(d)接着，对该光纤母材进行拉丝，制作外径约为数百μm的光纤线材。

(e)然后，以一定的长度切断该光纤线材，得到例如约1000条～30000条左右的光纤线材。

(f)接着，将这些光纤线材插入到预定的石英管中，通过对其进行拉丝而制作外径约为150μm～2500μm左右的石英类多芯光纤。

(g)最后，通过在其周围形成长度约为20μm～100μm左右的被覆层16，得到石英类多芯光纤10。

(可见光区域的发光峰值的测定结果)

下面，为了研究上述可见光区域中的发光峰值的原因，对发明人所进行的实验进行说明。图7表示适用于本发明第一实施方式的石英类多芯光纤的发光光谱测定的发光光谱测定装置200的示意结构图。

如图7所示，适用于本发明第一实施方式的石英类多芯光纤的发光光谱测定的发光光谱测定装置200与图1所示的适用于现有的多芯光纤的发光光谱测定的发光光谱测定装置100具有几乎相同的结构，在以下方面与发光光谱测定装置100不同。

即，在发光光谱测定装置200中，不使用物镜108、CCD110和选色镜112，而是在石英类多芯光纤106和/或石英类单芯光纤的出射端直接光学性连接光谱分析仪114。另外，作为光源102，例如使用单模式的半导体激光。半导体激光的波长例如为408nm，输出功率约为20mW左右。

(石英类单芯光纤的基本结构)

为了研究上述可见光区域中的发光峰值产生的原因，首先使用纤芯直径大的石英类单芯光纤进行了实验。具体而言，制成在纤芯1中含有微量的氯、且Ge浓度为0重量％、4重量％、10重量％、15重量％和26重量％的石英类单芯光纤，对发光强度与波长的关系(发光光谱)进行测定。另外，石英类单芯光纤的纤芯1的直径例如约为2μm～数百μm左右。

在此，含有微量氯是由于形成光纤时的起始原材料是SiCl₄和GeCl₄。在日本专利第2699231号公报中公开的“耐放射线光纤、传像纤维及它们的制造方法”中，公开了为了提高耐放射线特性而使用烷氧基锗(Ge(CH₃O)₄、Ge(C₂H₅O)₄等)作为起始原料。这些原料价格高。在成本、操作便利性方面，更优选使用SiCl₄和GeCl₄作为形成光纤时的起始原料。

图9表示对于Ge浓度为0重量％、4重量％、10重量％、15重量％及26重量％的石英类单芯光纤，使用发光光谱测定装置200(图7)测定的发光光谱的测定结果。

如图9所示，在Ge含量为15重量％以上的石英类单芯光纤的发光光谱中，以波长650nm附近为最大，观察到从波长约500nm附近波及到波长超过约800nm的范围的宽范围发光。着眼于该发光强度时，可知纤芯的Ge浓度越高，其强度越高。另外，在Ge浓度为0重量％、4重量％、10重量％的石英类单芯光纤中，这种发光几乎消失。从上述结果可知，这种宽范围发光是纤芯1中添加的Ge种被激发光激发所发出的冷光。

进而，本发明人通过实验也确认了：纤芯1中的Ge浓度越大，发光光谱强度越容易增加，但是当Ge浓度超过约15重量％时，发光强度增大到不能忽略的程度，另外，该发光强度的值也随时间而减小。

图4是表示入射波长为408nm的激发光时的出射功率的衰减率(％)与照射时间(小时)的关系，图4中表示在波长为650nm处的出射光的发光峰值的经时变化。

如图4所示，照射时间仅仅经过约10分钟，就可观察到发光峰值减少20％，经过1小时约减少20～30％。这是某种光子暗化现象。

由于发生这种时效变化，例如不能区别是由来自机体组织的荧光信号的衰减所引起的，还是由于光纤的衰减所引起的，从而使S/N比恶化。本发明人对抑制这些发光现象的方法进行了研究，结果发现，通过在纤芯1中与Ge一起添加微量的氟(F)，可以抑制这些发光现象。

下面，对具体的实施例进行说明。

(实施例1)

(a)首先，利用已知的VAD法，以SiCl₄和GeCl₄作为起始原料，制作添加有锗和微量氯的石英纤芯预制套管。

(b)接着，在烧结炉中将该预制套管在He气氛围中与SiF₄气体、SF₆气体或氟类气体一起加热，进行透明玻璃化，得到在纤芯1中掺杂预定量的F的玻璃棒。

(c)接着，在该玻璃棒的外周利用外包法形成石英包层，从而得到光纤母材(光纤预制件)。

(d)然后，对该光纤预制件进行拉丝，得到光纤直径为430μm、纤芯直径为390μm的光纤。

根据该光纤的元素分析结果，纤芯1中含有Ge浓度最大约为30重量％、F浓度约为0.1重量％、氯浓度约为0.1～0.3重量％左右。使用波长为408nm、输出功率约为20mW的半导体激光入射到光纤长度(约2m)的纤芯1中，测定该光纤的发光强度，使用图7所示的发光光谱测定装置200来测定其发光光谱，其结果如图10所示，不能完全观察到波长约500nm～约850nm处的自发发光。

另外，图10中在410nm～420nm处观察到的发光峰值是受激喇曼散射光。

(比较例1)

(a)首先，利用已知的VAD法，以SiCl₄和GeCl₄作为起始原料，制作添加有锗和微量氯的石英纤芯预制套管。

(b)接着，在烧结炉中将该预制套管在He气氛围中加热，进行透明玻璃化，得到玻璃棒。在此，不导入F气。

(c)接着，将该玻璃棒拉伸到预定的直径后，在其外周利用外包法形成石英包层，从而得到光纤母材(光纤预制件)。

(d)然后，对该光纤预制件进行拉丝，得到光纤直径为430μm、纤芯直径为390μm的光纤。

根据该光纤的元素分析结果，纤芯1的中央部含有Ge浓度最大约为26重量％、氯浓度约为0.3重量％。使用波长为408nm、输出功率约为20mW的半导体激光入射到光纤长度(约2m)的纤芯1中，测定该光纤的发光强度，使用图7中所示的发光光谱测定装置200来测定其发光光谱，其结果如图10所示，在波长约500nm～约850nm处观察到非常强的发光。另外，发光强度在约600nm～约700nm处达到饱和。

(实施例2)

(a)首先，利用已知的VAD法，以SiCl₄和GeCl₄作为起始原料，制作添加有锗和微量氯的石英纤芯预制套管。

(b)接着，在烧结炉中将该预制套管与SiF₄气体、SF₆气体或氟类气体一起加热，进行透明玻璃化，得到在纤芯1中掺杂预定量的F的玻璃棒。

(c)接着，在该玻璃棒的外周利用外包法形成作为石英类多芯光纤的共用包层2的加氟玻璃，从而得到光纤母材(光纤预制件)。

(d)然后，对该光纤预制件进行拉丝，制成外径约为150μm的光纤线材。

(e)然后，以一定的长度切断上述光纤线材，得到约10000条左右的光纤线材。

(f)接着，将这些光纤线材插入到预定的石英管中，通过对其进行拉丝，制成外径约为500μm左右的石英类多芯光纤10。

根据该石英类多芯光纤10的元素分析结果，在各纤芯1部分的中央部含有Ge浓度最大约为30重量％、F浓度约为0.05重量％、氯浓度约为0.1～0.3重量％。使用波长为408nm、输出功率约为20mW的半导体激光集中入射到光纤长度(约2m)的石英类多芯光纤10的数个纤芯1(直径d约为10μm左右)中，测定该光纤的发光强度，使用图7所示的发光光谱测定装置200测定其发光光谱，其结果如图8所示，不能完全观察到波长约500nm～约850nm的自发发光。另外，如图8所示，观察到由在波长约410nm～约420nm处观测到的受激喇曼散射光产生的发光峰值。

(比较例2)

(a)首先，利用已知的VAD法，以SiCl₄和GeCl₄作为起始原料，制作添加有锗和微量氯的石英纤芯预制套管。

(b)接着，在烧结炉中将该预制套管加热，进行透明玻璃化，得到玻璃棒。在此，不导入F气。

(c)接着，将该玻璃棒拉伸到预定的直径后，在其外周利用外包法形成石英包层，从而得到光纤母材(光纤预制件)。

(d)然后，对该光纤预制件进行拉丝，制作外径约为150μm左右的光纤线材。

(e)然后，以一定的长度切断上述光纤线材，得到约30000条左右的光纤线材。

(f)接着，将这些光纤线材插入到预定的石英管中，通过对其进行拉丝来制成外径约为650μm的石英类多芯光纤。

根据该石英类多芯光纤的元素分析结果，在纤芯1中含有Ge浓度最大约为30重量％、氯浓度约为0.2重量％。使用波长为408nm、输出功率约为20mW的半导体激光，集中入射到光纤长度(约2m)的石英类多芯光纤10的数个纤芯1(直径d约为10μm左右)中，测定该光纤的发光强度，使用图7所示的发光光谱测定装置200，测定其发光光谱，其结果如图8所示，在波长约550nm～约800nm(发光峰值约在650nm附近)处，观察到清楚的自发发光。另外，如图8所示，观察到由在波长约410nm～约420nm处观测到的受激喇曼散射光产生的发光峰值。

然后，对石英类多芯光纤在实际应用中的其他重要特性、即析像度和对比度进行说明。纤芯间隔D为影响析像度的参数之一。相邻接的纤芯之间的间隔越小，物理性的析像度越大，但当该间隔过小时，发生色度亮度干扰。色度亮度干扰增大时，光发生渗透，使对比度降低、或发生图像着色而可见的问题。用于共焦式荧光成像法的石英类多芯光纤中，虽然着色还不是问题，但尽管如此，也必须设计石英类多芯光纤，以使其与折射率的分布平衡，且可以均衡地实现适当的析像度和对比度。

根据本发明人的研究，具有以下结构的石英类多芯光纤适于共焦成像法。

由上述可知，通过由含有微量的氯、含氟浓度约0.05重量％以上且约3重量％以下、优选0.1重量％以上且约2重量％以下、且Ge浓度约15重量％以上的GeO₂-SiO₂-F类玻璃构成的材料来制成纤芯1，可以抑制由数值孔径NA高(例如NA：0.2以上)的光纤传输来自波长在约400nm～约635nm范围中的功率密度高的LD光源等的激发光时所产生的发光强度。

另外，通过形成包层与纤芯的相对折射率差约为2％以上、优选为3％以上、且包层直径与纤芯直径之比(包层/纤芯)为约1.01～约3.0、优选为约1.02～约3.0的结构，可以获得高析像度、高S/N比的石英类多芯光纤(以下称为石英类多芯光纤A)。

这里所说的包层是指配置在各个纤芯周围的折射率较低的部分，形成最终一体化的石英类多芯光纤之前的外径是光纤线材的外径。该光纤线材如下制作：在烧结炉中对添加有锗的石英纤芯预制套管进行加热而形成纤芯用玻璃棒，对在该纤芯外周形成有作为共用包层的玻璃层的光纤母材进行拉丝而使该光纤线材具有预定的外径。即，这里所使用的包层直径并不是一体化的石英类多芯光纤整体的外径。

在该石英类多芯光纤A中，即使纤芯1的中心部的Ge浓度为15重量％以上，也可以利用波长从405nm至635nm的激发光(约30mW)来抑制由Ge引发的波长从500nm至800nm的发光。

因此，在利用荧光成像法来观察时，可以以高S/N比获得来自观察部位的荧光。

另一方面，当纤芯1的中心部的Ge浓度低于15重量％时，由于受材料限制，难以将必要的NA维持在0.30以上，但在石英类多芯光纤A中，由于Ge浓度约为15重量％以上(约30重量％以下)，所以作为F掺杂量，通过在约0.05重量％～约3重量％之间调节F浓度，可容易地确保必要的NA值。

另外，需要约0.30以上的NA值是为了能够充分地获得来自观察部位的荧光。要实现超过0.45的NA时，必须增加纤芯1中的Ge添加量或包层中的氟(F)或硼(B)的添加量，由于正常制造难以进行，所以将NA控制在约0.45以下。

另外，在石英类多芯光纤A中，通过以SiCl₄和GeCl₄作为起始原料进行制造，作为氯浓度可以为约0.1～0.3重量％。由于含有氯，所以如上所述可以一定程度地提高折射率。

根据本发明人的研究发现下述倾向：在纤芯1中不含有F时，观察到纤芯1中所含有的氯的量越多，上述宽范围发光变得越强。但是，通过使纤芯1中含有氟的浓度约为0.05重量％以上，可以抑制波长在约500nm～约800nm范围的宽范围发光强度。

在此，当纤芯1中的F添加浓度超过2重量％时，存在如下问题：随着由F引起的折射率降低，数值孔径变小或制成光纤时产生许多气泡，在实际制造上存在困难，因此不优选。

另外，测定的石英类多芯光纤的全长为2m。这是由于将石英类多芯光纤用于荧光成像法中时，从操作性等方面考虑，2m是必要的长度。当全长变长时，纤芯1中的Ge量实质上增加，上述由Ge引起的发光，存在随着石英类多芯光纤的全长越长而越明显的倾向，因此以该长度得到上述特性在实际应用上是重要的。

通过以上说明，根据本发明实施方式的石英类多芯光纤，由于限制在纤芯中心部的F浓度、Ge浓度和氯的有无，因此可以抑制由纤芯中的Ge引起的波长在约500nm～约800nm范围内的发光，从而可以用高S/N比来观察来自观察对象的机体组织的荧光。

另外，根据本发明实施方式的石英类多芯光纤，通过限制纤芯与包层的比例，可以制作具有细胞水平析像度的细径的石英类多芯光纤。

另外，在使用本发明实施方式的石英类多芯光纤、石英类单芯光纤时，也可以抑制在入射波长为约405nm～约630nm的光时发生的在波长约500nm～约800nm的范围的发光现象。

根据本发明第一实施方式的石英类多芯光纤及其制造方法，通过提高析像度和S/N比，可以提高荧光诊断的精度。

另外，根据本发明第一实施方式的石英类单芯光纤及其制造方法，在来自观察的组织的荧光检测、发光检测、光谱分析等方面，可以改善S/N比，提高检测精度和分析精度。

其他实施例

以上虽然根据第一和第二实施例以及它们的变形例对本发明进行了说明，但是上述相关说明及附图仅为例示，而并未限定本发明。根据本发明，本领域技术人员可以容易地想到替代的其他实施方式、实施例或应用技术。

可见本发明的实施方式与其变形一起对于具有加强击穿能力的半导体装置而言，已经提出了暗示的结构创新，其包括保护环结构或场板结构的申请。

根据上述实施方式或其变形中的任一种，制造半导体装置的方法具有离子注入和扩散的一系列工序，这些工序可以被适当的方式代替，例如将晶片焊接在一起的晶片焊接工序。

因此，本发明包括如上记载或未记载的各种实施方式。

产业上利用的可能性

本发明实施方式的光纤是对在传输可见光区域(约400nm～约800nm)的光时发生的可见光区域中的发光现象进行抑制的光纤，因此，适合于共焦式荧光成像、荧光检测、发光检测、光谱分析等方面，且可以适用于医疗领域、生物测试设备领域等广泛的使用领域。