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设计支持系统、可读介质、半导体器件设计和制造方法

摘要

提供一种设计支持系统、可读介质、半导体器件设计和制造方法。该设计支持系统包括栅极膜信息获取部件和最大容许天线比率设置部件。该栅极膜信息获取部件获取有关已被设计的半导体器件的栅极绝缘膜的厚度的信息。栅极绝缘膜厚度指的是物理膜厚度。该最大容许天线比率设置部件根据通过该栅极膜信息获取部件获取的膜厚度信息来设置用于栅电极的最大容许天线比率。因此,当根据栅极绝缘膜的厚度改变最大容许天线比率时,设计半导体器件的设计者能够设置具体值。

著录项

  • 公开/公告号CN101515305A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-08-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 恩益禧电子股份有限公司;

    申请/专利号CN200910007589.7

  • 发明设计人 相泽宏一;

    申请日2009-02-23

  • 分类号G06F17/50;H01L21/336;H01L21/28;

  • 代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人孙志湧

  • 地址 日本神奈川

  • 入库时间 2023-12-17 22:36:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-11-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G06F17/50 公开日:20090826 申请日:20090223

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-08-26

    公开

    公开

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