微纳电子器件结构的多物理场界面多尺度设计方法

摘要

本发明公开了一种微纳电子器件结构的多物理场界面多尺度设计方法，先描述耦合机制，用分子动力学描述界面组织演化和材料缺陷特征；再用有限元为分子动力学模型提供热循环、弯曲、拉伸行为的边界条件；最后进行界面多物理场特征的数学模拟。本发明是针对微纳电子器件结构多物理场界面特别是封装界面特征研究多尺度模型的构架、针对微观界面尺度材料组织的演变、热缺陷的产生机制、材料缺陷如孔洞和裂纹等对微结构物理特性的影响形成，兼顾计算效率和科学准确性；实现微纳电子器件结构多物理场界面全性能特征的宏微纳观模拟，解决了微纳电子器件结构多物理场界面设计难题。