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一种生长钇铝柘榴石晶体的新技术及其设备

摘要

本发明公开了一种生长钇铝柘榴石晶体的新技术及其设备。本发明使用中频感应加热的坩埚下降晶体生长方法,并采用了在生长过程中伴随晶体的逐步长大,向高温熔体中同步连续加料的新技术。其很好地克服了提拉法生长Nd:YAG时因YAG高温熔体结晶时掺杂离子的分凝系数太小而导致的生长出的晶体中的掺杂离子浓度分布不均匀,只好用大坩埚生长小晶体的问题。使用本发明提供的技术,可以以较廉价的成本生长出具有良好的光学均匀性、掺杂离子浓度分布均匀、具有较高晶体棒切割利用率的大尺寸的掺杂YAG晶体。满足固体激光技术领域对YAG晶体不断提出的新要求。

著录项

  • 公开/公告号CN101481821A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-07-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 吴晟;

    申请/专利号CN200810247023.7

  • 发明设计人 吴晟;

    申请日2008-12-31

  • 分类号C30B29/28(20060101);C30B11/00(20060101);

  • 代理机构11003 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人尹振启

  • 地址 100190 北京市中关村南三街2号楼701

  • 入库时间 2023-12-17 22:14:42

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-21

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B29/28 授权公告日:20120905 终止日期:20171231 申请日:20081231

    专利权的终止

  • 2012-09-05

    授权

    授权

  • 2009-09-09

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-07-15

    公开

    公开

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