公开/公告号CN101452856A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-06-10
原文格式PDF
申请/专利权人 力晶半导体股份有限公司;
申请/专利号CN200710196657.X
申请日2007-11-29
分类号H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/788;H01L27/115;
代理机构北京市柳沈律师事务所;
代理人陶凤波
地址 中国台湾新竹科学工业园区
入库时间 2023-12-17 22:06:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-01-05
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 公开日:20090610 申请日:20071129
发明专利申请公布后的视为撤回
2009-08-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2009-06-10
公开
公开
机译: 非易失性存储器件,非易失性存储单元和多个晶体管,以及调整非衰减存储单元的阈值的方法(非易失性存储器件,非易失性存储单元和非易失性存储单元,挥发性存储器细胞和每个复数晶体管)
机译: 半导体非易失性存储单元,其制造方法,具有该半导体非易失性存储单元的半导体非易失性存储器及其制造方法
机译: monos型非易失性存储单元,非易失性存储器及其制造方法