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公开/公告号CN101443886A
专利类型发明专利
公开/公告日2009-05-27
原文格式PDF
申请/专利权人 HOYA株式会社;
申请/专利号CN200780017495.7
发明设计人 堀井克彦;浅川敬司;
申请日2007-05-29
分类号H01L21/027(20060101);G03F1/08(20060101);H01L21/304(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人李贵亮
地址 日本东京都
入库时间 2023-12-17 22:01:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-06-27
授权
2009-07-22
实质审查的生效
2009-05-27
公开
机译: 掩膜毛坯,具有抗蚀膜的掩膜毛坯,具有抗蚀剂图案的掩膜毛坯,其制造方法和制造转印膜的方法
机译: 掩膜基板的制造方法,多层膜基板的制造方法,掩膜基板的制造方法,转移膜的制造方法以及半导体装置的制造方法
机译: 掩膜层具有抗蚀剂层,掩膜层的制造方法,以及转印膜的制造方法
机译:金属纳米缝结构的制造和分析:纳米掩膜方法的进展
机译:具有聚焦机制的数字光刻掩膜方法的发展,用于在生物加工工艺中制造微特征
机译:使用纳米通道氧化铝膜作为离子注入掩膜在基板上进行周期性纳米点制造的途径
机译:用于微电子封装的顺序多层高密度基板制造的集成工艺建模方法学和模块。
机译:干膜光致抗蚀剂为基础微制造:制造毫米波波导组分的一种新方法
机译:TMMF干膜抗蚀剂在用于微流控芯片制造的耐热玻璃深腐蚀中作为掩膜层
机译:在包括非氮化镓柱的基板上制造氮化镓半导体层的方法,以及由此制造的氮化镓半导体结构。