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用于使用牺牲金属基础的封装类型的三维封装方案

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一种用于封装半导体装置的设备及方法。所述设备可应用于使用牺牲金属基础条的许多种类型的现代封装方案。穿过包围装置(207)及相关联的接合线(211)的囊封区域(215)形成的隧道(213)通过(举例来说)电镀填充有金属导体并从底部接触垫(205)延伸到经囊封区域(215)的最高部分。牺牲金属基础条(201)充当镀敷汇流条且在镀敷之后被蚀刻移除。经填充的隧道(213)允许组件以三维配置进行堆叠。

著录项

公开/公告号CN101432868A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-05-13

原文格式PDF
申请/专利权人爱特梅尔公司;
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申请/专利号CN200780014844.X
发明设计人肯·M·兰姆;
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申请日2007-04-24
分类号H01L23/02;H01L23/04;H01L23/48;H01L23/40;H01L21/50;H01L21/48;H01L21/44;
代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人孟锐
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2023-12-17 21:57:44

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2014-08-27

专利权的视为放弃 IPC(主分类):H01L23/02 放弃生效日:20090513 申请日:20070424

专利权的视为放弃
2009-07-08

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-05-13

公开

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相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 用于使用牺牲金属基础的封装类型的三维封装方案 [P] . 中国专利： CN101432868A . 2009-05-13
2. 用于半导体封装的树脂组合物、使用其的预浸料和金属包层层合体 [P] . 中国专利： CN109661421B . 2021.02.09
3. And a method of manufacturing the same three-dimensional multi-package module using this with the metal base package substrate [P] . 日本专利： JP2010534950A . 2010-11-11

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4. Bipolar transistor manufacturing method for use in integrated circuit, involves forming sacrificial block acting as window to emitter, on encapsulation layer laid on base layer, and laying sacrificial layer on base contact layer [P] . 法国专利： FR2854494A1 . 2004-11-05

机译：用于集成电路的双极型晶体管的制造方法，包括在置于基础层上的封装层上形成用作发射极窗口的牺牲块，并在基础接触层上形成牺牲层
5. Encapsulated metal nodules for sacrificial anode formation in mortar or reinforced concrete includes metal core and protective envelope ensuring mechanical resistance when mixing and providing water barrier until setting is complete [P] . 法国专利： FR2793486A1 . 2000-11-17

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