双极性互补金属氧化物半导体技术中形成集电极的方法

摘要

本发明提供一种用于高速BiCMOS应用的异质双极型晶体管(HBT)，其中通过在器件的子集电极上浅槽隔离区下面提供隐埋耐熔金属硅化物层来降低集电极阻抗Rc。具体地，本发明的HBT包括：包含至少一个子集电极(13)的衬底(12)；位于子集电极上的隐埋耐熔金属硅化物层(28)；以及位于隐埋耐熔金属硅化物层的表面上的浅槽隔离区(22)。本发明也提供制造这种HBT的方法。该方法包括在器件的子集电极上浅槽隔离区下面形成隐埋耐熔金属硅化物。