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一种提高SiC-C阻氢(氚)涂层对基体金属材料粘着性能的方法

摘要

本发明提出的提高SiC-C阻氢涂层对基体金属材料粘着性能的方法属于核技术及应用领域。在基体金属材料上制备SiC-C阻氢(氚)涂层时,采用中间过渡层以提高涂层对基体的粘着性能,而且还能提高SiC-C涂层的阻氢(氚)效果。其方法是在抛光清洗后的金属材料基体上进行低能粒子的轰击,进一步清除表面污染并对表面活化。然后用物理气相沉积技术沉积过渡层,在此基础上再制备SiC-C涂层。本发明的方法可以在SiC-C涂层制备的设备中进行,中间过渡层的制备与SiC-C涂层的制备可以直接配合。SiC-C阻氢(氚)涂层经这一中间过渡层的沉积后,不仅有效提高涂层与基体材料的粘着性能,还有利于涂层本身阻氢性能的提高。

著录项

  • 公开/公告号CN101418428A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2009-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 四川大学;

    申请/专利号CN200810046347.4

  • 申请日2008-10-22

  • 分类号C23C14/02;C23C14/34;C23C14/35;C23C14/06;C23C14/54;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 610064 四川省成都市一环路南一段24号

  • 入库时间 2023-12-17 21:49:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-03-23

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/02 公开日:20090429 申请日:20081022

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-06-24

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2009-04-29

    公开

    公开

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