一种阻氢(氚)用的C－SiC涂层物理气相制备方法

摘要

本发明公开了一种C－SiC阻氢(氚)保护涂层制备方法。该方法采用物理气相沉积技术即磁控溅射结合离子束轰击混合的技术，在Fe基体上制备具有多层结构的C－SiC涂层，涂层均匀致密，且与基体具有优良的结合强度，能使基体的阻氢(氚)性能提高3个数量级以上。本发明的步骤为：一、抛光清洗后的Fe基体在真空靶室中进一步清除表面的氧化物；二、采用加偏压的中频或射频的磁控溅射技术在基体表面沉积C－SiC；沉积一定厚度的C－SiC后，用离子束轰击其表面，随后再沉积C－SiC，再用离子束轰击；重复此步骤，直至涂层达到预定厚度；三、进行真空退火或电子束扫描处理；四、完成涂层的制备。