包括第一栅堆叠和第二栅堆叠的集成电路及其制造方法

摘要

本发明揭露了一种包括第一栅堆叠和第二栅堆叠的集成电路及其制造方法。一个实施例提供了非挥发性存储单元，其包括在半导体衬底的主表面的第一表面部分上的第一栅堆叠和栅电介质，以及第二表面部分上的包括存储层堆叠的第二栅堆叠。第一图形被转移到第一栅堆叠中，第二图形被转移到第二栅堆叠中。