基于命令信号和操作状态解码命令的系统和方法

摘要

一种用于解码命令信号的系统和方法包含命令解码器，其经配置以基于所述命令信号和操作状态产生内部控制信号以执行操作。命令信号的相同组合可根据所述操作状态请求不同的命令。当所述存储器系统处于第一操作状态时根据所述命令信号从第一组操作中选出命令，且当所述存储器系统处于第二操作状态时根据所述命令信号从第二组操作中选出命令。

说明书

技术领域

本发明大体上涉及存储器系统的命令解码，且更确切地说，涉及解码命令信号以便基于命令信号和存储器系统的操作状态在所述存储器系统中执行操作。

背景技术

计算机系统使用存储器装置(例如同步动态随机存取存储器(SDRAM)装置)来存储供处理器存取的指令和数据。这些存储器装置一般用作计算机系统中的系统存储器。在典型的计算机系统中，处理器通过处理器总线和存储器控制器与系统存储器通信。处理器发布存储器请求，所述请求中包含存储器命令(例如读取命令)和指明将从哪个位置读取数据或指令的地址。存储器控制器使用命令和地址来产生适当的命令信号以及行和列地址，将所述命令信号和地址施加于系统存储器。响应于命令和地址在系统存储器与处理器之间传送数据。

图1是常规存储器装置100的功能框图。图1中的存储器装置100是双数据速率(DDR)SDRAM的实例。存储器装置100称为双数据速率装置，因为以装置为目标和来源而传送的数据字DQ是用常规SDRAM的速率的双倍传送的，常规SDRAM用对应于施加的时钟信号的频率的速率传送数据。存储器装置100包含控制逻辑和命令解码器134，所述命令解码器134通过控制总线CONT接收多个命令和时钟信号，通常是从如存储器控制器(未图示)等外部电路接收的。命令信号包含芯片选择信号CS#、写入启用信号WE#、列地址选通信号CAS#和行地址选通信号RAS#，而时钟信号包含时钟启用信号CKE#和互补时钟信号CLK、CLK#，其中“#”指明信号处于活动“低”。将命令信号RAS#、CAS#和WE#驱动成对应于特定命令的值，所述命令例如为读取、写入或自动刷新命令。

命令解码器134响应于时钟信号CLK、CLK#锁存并解码所施加的命令，并产生内部时钟和控制信号的序列，所述信号控制组件102—132以执行所施加的命令的功能。时钟启用信号CKE通过时钟信号CLK、CLK#启用对命令解码器134的定时。命令解码器134进一步包含模式寄存器136。使用写入到模式寄存器136的数据来设定各种操作模式，例如突发数据长度、突发类型、减电模式、CAS等待时间等。命令解码器134将基于由存储在模式寄存器136中的数据设定的模式产生适当的内部时钟和控制信号。

存储器装置100进一步包含地址寄存器102，所述寄存器通过地址总线ADDR接收行、列和库地址，其中存储器控制器(未图示)通常供应所述地址。地址寄存器102接收行地址和库地址，分别将所述行地址和库地址施加到行地址多路复用器104和库控制逻辑电路106。行地址多路复用器104向多个行地址锁存器和解码器110A-D施加从地址寄存器102接收的行地址或来自刷新计数器108的刷新行地址。库控制逻辑106对应于从地址寄存器102接收的库地址或来自刷新计数器108的刷新库地址激活行地址锁存器和解码器110A-D，且激活的行地址锁存器和解码器将接收到的行地址进行锁存和解码。

激活的行地址锁存器和解码器110A-D响应于解码的行地址而向相应的存储库112A-D施加各种信号，以便因而激活对应于解码的行地址的一行存储器单元。每个存储库112A-D包含具有排列成行和列的多个存储器单元的存储器单元阵列，且将存储在激活的行中的存储器单元中的数据存储在相应存储库中的读出放大器中。如同所属领域的技术人员将了解的，当存储器装置100响应于施加到存储器装置100的自动或自主刷新命令而以自动刷新或自主刷新操作模式操作时，行地址多路复用器104向解码器110A-D施加来自刷新计数器108的刷新行地址，且库控制逻辑电路106使用来自刷新计数器的刷新库地址。

在行和库地址之后在ADDR总线上施加列地址，且地址寄存器102向列地址计数器和锁存器114施加列地址，所述列地址计数器和锁存器114又锁存列地址，并向多个列解码器116A-D施加锁存的列地址。库控制逻辑106激活对应于接收的库地址的列解码器116A-D，且激活的列解码器将施加的列地址进行解码。根据存储器装置100的操作模式，列地址计数器和锁存器114直接向解码器116A-D施加锁存的列地址，或者从地址寄存器102提供的列地址开始向解码器施加列地址序列。激活的列解码器116A-D响应于来自计数器和锁存器114的列地址而向I/O门控和数据屏蔽电路118施加解码和控制信号，所述I/O门控和数据屏蔽电路118又存取正被存取的存储库112A-D中的激活的存储器单元行中对应于经解码列地址的存储器单元。

在数据读取操作期间，将正从定址的存储器单元读取的数据通过I/O门控和数据屏蔽电路118耦合到读取锁存器120。I/O门控和数据屏蔽电路118将N位数据供应到读取锁存器120，读取锁存器120接着向多路复用器122施加两个N/4位字。在图3的实施例中，电路118向读取锁存器120提供32个位，所述读取锁存器120又向多路复用器122提供四个8位的字。数据驱动器124循序从多路复用器122接收所述N/4位字，且还接收来自选通信号产生器126的数据选通信号DQS和来自延迟锁定环路123的延迟时钟信号CLKDEL。例如存储器控制器(未图示)等外部电路使用所述DQS信号在读取操作期间锁存来自存储器装置100的数据。数据驱动器124响应于延迟的时钟信号CLKDEL而循序输出接收到的N/4位字作为相应的数据字DQ，每个数据字与经施加而为存储器装置100定时的CLK信号的上升或下降沿同步输出。数据驱动器124还输出数据选通信号DQS，所述信号具有分别与CLK信号的上升和下降沿同步的上升和下降沿。每个数据字DQ和数据选通信号DQS共同界定数据总线DATA。DATA总线还包含屏蔽信号DM0-M，用于屏蔽数据写入操作的写入数据，下文中将对此更详细地描述。

在数据写入操作期间，例如存储器控制器(未图示)等外部电路在数据总线DATA上施加N/4位数据字DQ、选通信号DQS和相应的数据屏蔽信号DM。数据接收器128接收每个DQ字和相关联的DM信号，并将这些信号施加到由DQS信号定时的输入寄存器130，输入寄存器130响应于DQS信号的上升沿而锁存第一N/4位DQ字和相关联的DM信号，并且输入寄存器响应于DQS信号的下降沿而锁存第二N/4位DQ字和相关联的DM信号。输入寄存器130将两个锁存的N/4位DQ字作为N位字提供到写入FIFO和驱动器132，所述写入FIFO和驱动器132响应于DQS信号而对施加到写入FIFO和驱动器中的DQ字和DM信号定时。响应于CLK信号而将DQ字从写入FIFO和驱动器132中时钟输出，并将其施加到I/O门控和屏蔽电路118。I/O门控和屏蔽电路118将DQ字传送到存取的库112A-D中经受DM信号的定址存储器单元，可使用DM信号来选择性地屏蔽正被写入到定址的存储器单元的DQ字中(即写入数据中)的位或位的群组。

如先前所述，用命令信号形式向存储器装置100发布命令，命令解码器134将所述命令信号解码，从而产生内部时钟和控制信号以便执行所请求的操作。图2是存储器装置100的命令解码真值表。三个命令信号RAS#、CAS#和WE#提供用于存储器装置100的八个不同命令。这些命令包含“加载模式”、“刷新”、“预充电”、“库激活”、“写入”、“读取”“NOP(无操作)”和“保留”命令，将来这些命令可用作额外命令。“加载模式”命令用来将数据加载到模式寄存器136中，如前所述，所述模式寄存器136用来设定各种操作模式，例如突发数据长度、突发类型、减电模式、CAS等待时间等。“刷新”命令用来在存储库112A-D中调用刷新序列。“预充电”命令用来停用或“关闭”激活的或“打开”的存储库112A-D。“库激活”命令用来打开存储库112A-D中通过库地址选定的至少一个存储库，以准备进行存储器存取操作。如前所述，“写入”命令和“读取”命令分别用来调用数据写入操作和数据读取操作。“NOP”操作用来在存储器装置100的闲置或等待状态期间阻止寄存不需要的命令。

RAS#、CAS#和WE#信号的使用提供了一种向存储器装置100发布命令的有效方式。但是，这种常规方法存在固有的限制。一个此种限制是在对存储器装置100进行常规命令解码时提供的不同的可能命令的最大数目。如上文说明的，由于RAS#、CAS#和WE#信号的双态性质，所述三个命令信号提供对八个不同命令的最大解码。虽然八个不同命令对于当前的技术来说已经足够，但不难想象，将来可能需要多于前文所述的八个命令。如果需要额外命令，那么将需要使用额外的命令信号。举例来说，如果对于总共十个命令需要两个额外命令，那么可使用“保留”命令来解码一个命令。但是，另一额外命令将需要向现有的三个命令信号中再添加一个信号。通过四个命令信号，现在可解码可能十六个不同命令。

虽然对于命令具有额外选择看起来是有利的，但这为存储器装置100采用的常规命令解码导致了另一限制。也就是说，通过增加命令信号的数目来增加可解码的不同命令的数目，将会使存储器装置100的需用来接收命令信号的外部端子或“引脚”的数目增加。在当前的实例中，存储器装置100使用三个外部端子来接收RAS#、CAS#和WE#信号。具有多于可能的八个命令要求用至少四个外部端子来提供足够的命令解码。考虑到采用差分命令信号的系统(其中将每个命令信号作为一对互补信号施加到存储器装置，从而需要两个外部端子)的发展，数目可能增加为所述数目的两倍。

目前，常规封装的存储器装置可包含的外部端子数目即将达到其物理限度。虽然始终可通过增加存储器装置封装的物理尺寸来容纳额外的外部端子，但是这种解决方法不符合创造便携且紧凑的电子系统的需要。另外，添加外部端子会增加在存储器控制器与存储器装置之间通信必须使用的信号线的数目。当应用于存储器模块时，每个存储器装置的额外外部端子将需要在印刷电路板(PCB)的不同层上形成额外的传导迹线，因此增加了PCB的设计和制造复杂性。因此，响应于适应额外命令选择的需要而增加外部端子的数目非常不合需要。

因此，需要一种替代的命令解码系统和方法，其可用来在增加命令数目和/或减少解码命令时使用的命令信号的数目方面提供较大的灵活性。

发明内容

本发明的实施例针对一种用于解码命令信号的系统和方法。一方面，命令解码器经配置以在存储器系统处于第一操作状态时产生内部控制信号，以便执行根据命令信号的锁存逻辑电平从第一组操作中选出的操作。命令解码器进一步经配置以在存储器系统处于第二操作状态时产生内部控制信号，以便执行根据命令信号的锁存逻辑电平从第二组操作中选出的操作。另一方面，解码命令信号的方法包含接收命令信号，和当存储器系统处于第一操作状态时根据命令信号从第一组操作中选出一个操作，并当存储器系统处于第二操作状态时根据命令信号从第二组操作中选出一个操作。

附图说明

图1是具有常规命令解码的存储器系统的功能框图。

图2是在图1的存储器系统中利用的常规命令解码的真值表。

图3是根据本发明实施例具有命令解码的存储器系统的功能框图。

图4是根据本发明实施例在图3的存储器系统中利用的命令解码的真值表。

图5是图4的真值表中所示的命令解码的状态图。

图6是根据本发明的替代实施例可在图3的存储器系统中利用的命令解码的真值表。

图7是根据本发明的替代实施例可在图3的存储器系统中利用的命令解码的状态图。

图8是根据本发明实施例包含具有命令解码的存储器系统的处理系统的功能框图。

具体实施方式

本发明的实施例提供用于在存储器中进行命令解码的系统和方法，其基于命令信号结合存储器的操作状态来解码命令。下文阐述特定细节，以便提供对本发明的充分了解。但是，所属领域的技术人员将明白，可在没有这些特定细节的情况下实践本发明。在其它实例中，未详细展示众所周知的电路、控制信号、定时协议和软件操作，以免不必要地混淆本发明。

图3说明根据本发明实施例具有控制逻辑和命令解码器334的存储器装置300。存储器装置300中包含的许多电路先前已经相对于图1的存储器装置100进行了描述，因此为了简洁起见将不再描述。存储器装置300中的这些电路的操作与先前相对于图1的存储器装置100描述的相同，且在图3中使用相同的参考标号表示。但是，命令解码器334与存储器装置100的命令解码器134不同。命令解码器334为施加到存储器装置300的命令信号解码，并基于所述命令信号结合存储器装置300的操作状态而产生内部时钟和控制信号，以便执行所请求的命令。因此，与存储器装置100的命令解码器134不同，命令解码器334基于施加到存储器装置300的命令信号集及存储器装置300的当前操作状态而产生内部信号以便执行所请求的操作。因此，解码命令所需的命令信号的数目可减少，而可用的不同命令的数目维持不变。或者，可增加不同命令的数目而不增加命令信号的数目。

举例来说，存储器装置300具有与先前针对存储器装置100描述且在图2的表中展示的相同数目的命令。即，八个不同的命令是“加载模式寄存器”、“刷新”、“预充电”、“库激活”、“写入”、“读取”、“保留”和“NOP”。可基于三个命令信号RAS#、CAS#和WE#的逻辑状态的组合来选择这八个用于存储器装置100的命令。相比之下，且如下文将更详细描述，存储器装置300可只使用两个命令信号RAS#和WE#结合对库活动状态的监视来选择相同的八个命令之一。在这个特定实施例中，命令解码器334耦合到库控制逻辑306，以便接收库活动状态信号“BACTIVE”，所述信号具有指示存储库112A-D中有任一者“打开”(即，活动)还是所有库均“关闭”(即，预充电)的逻辑状态。

图4说明根据本发明实施例图3的存储器装置300中的命令解码的真值表。列402列举当存储库312A-D中有任一者打开时针对RAS#和WE#信号的不同组合的命令。列404列举当所有存储库312A-D均关闭时针对RAS#和WE#信号的不同组合的命令。举例来说，在命令解码器334在“BACTIVE”信号活动(指示存储库312A-D中至少有一者打开)时接收到“高”RAS#信号和“低”WE#信号的情况下，命令解码器334将产生内部时钟和控制信号，以便向存储库312A-D中由地址和库信号识别的至少一个存储器位置执行“写入”操作，如先前所述。但是，如果在“BACTIVE”信号不活动(指示所有存储库312A-D均关闭)时向存储器装置300施加“高”RAS#信号和“低”WE#信号，那么命令解码器334将产生内部时钟和控制信号，以便执行将模式信息加载到模式寄存器136中的“加载模式”命令，如先前所述。通过将图4的真值表与图2的真值表进行比较而显示出，存储器装置300具有与存储器装置100相同的八个命令，但只需要RAS#和WE#两个信号，而不是RAS#、CAS#和WE#三个信号。

图5是说明如先前相对于图4的命令解码真值表描述的存储器装置300的命令解码的状态图。图5说明各种存储器装置操作(由圆表示)和各种存储器装置状态(由带阴影的圆表示)。存储器装置300响应于命令信号RAS#和WE#而改变状态和执行操作，其中通过从存储器装置状态指向存储器装置操作的箭头来表示命令序列(由命令信号的组合来界定)和状态的变化。图5中的加粗箭头表示自动序列，其在存储器装置操作完成时将存储器装置300返回到一存储器装置状态。如同下文将更详细解释的，图5说明以逐库方式对存储库0到N进行命令解码，所述存储库O到N对应于存储器装置300的存储库112A-D。通过在锁存命令信号时施加到存储器装置的库地址作出存储库选择。

一旦向存储器装置300施加电力，便执行加电序列，从而将存储器装置300置于“加电”状态502。当完成加电序列时，存储器装置300退出“加电”状态502，并被重设成“所有库预充电”状态504。当处于“所有库预充电”状态504且所有存储库112A-D均关闭时，通过命令解码器334将RAS#和WE#信号的施加解码成三个命令(不包含“保留”命令)之一。图5所示的三个命令是：“刷新”命令，其致使存储器装置300执行“自动刷新”操作506；“加载模式”命令，其致使存储器装置300执行“加载MRS”操作508；或“库激活”命令，其致使存储器装置300针对特定存储库0到N执行“激活库”命令509。

当存储器装置300处于“所有库预充电”状态504时，从施加到命令解码器334的“低”RAS#信号和“低”WE#信号中解码出“刷新”命令。作为响应，存储器装置300从“所有库预充电”状态504改变，以执行“自动刷新”序列506。当完成“自动刷新”序列506时，存储器装置300返回到“所有库预充电”状态504(如从“自动刷新”状态506指回“所有库预充电”状态504的加粗箭头所示)，以等待另外的命令。类似地，当存储器装置300处于“所有库预充电”状态504时，从“高”RAS#信号和“低”WE#信号中解码出“加载模式”命令。图5中将“加载模式”命令展示为“WR”，其表示“高”RAS#信号和“低”WE#信号的组合，如果存储器装置处于“库活动”状态510，那么将把所述信号组合解码成“写入”命令。响应于“加载模式”命令，存储器装置300的状态从“所有库预充电”状态504改变，以便执行“加载MRS”操作508，当完成时，存储器装置300返回到“所有库预充电”状态504。

当存储器装置300处于“库关闭”状态504时可解码的第三命令是“库激活”命令，其是从“低”RAS#信号和“高”WE#信号中解码的。图5中将“库激活”命令展示为“ACT”，其表示“低”RAS#信号和“高”WE#信号的组合。如前所述，“库激活”命令是逐库命令，其激活存储库312A-D中的至少一者，所述一者通常由库地址信号识别。“库激活”命令致使存储器装置300从“所有库预充电”状态504改变，以便针对特定存储库执行“激活库”操作509。一旦完成“激活库”操作509，存储器装置300对于特定存储库的状态改变成“库活动”状态510。被激活的存储库312A-D保持激活，直到存储器装置300解码“预充电”命令为止，此时，存储器装置300的状态从“库活动”状态510改变，以便执行“预充电库”操作511。一旦完成“预充电库”操作511，存储器装置300便通过“库预充电”状态505返回到“所有库预充电”状态504。当存储器装置300处于“库预充电”状态505时解码的“库激活”命令将执行“激活库”操作509，并将存储器装置300的状态改变成“库活动”状态510。当存储器装置300处于“库活动”状态510时，除了“预充电”命令之外可从RAS#和WE#信号中解码的另外两个命令是：“读取”命令，其致使存储器装置300执行“读取”操作512；和“写入”命令，其致使存储器装置300执行“写入”操作514。当存储器装置300处于“库活动”状态510时还可通过命令解码器334从RAS#和WE#信号中解码出无操作“NOP”命令，但是如众所周知的，所述命令通常不致使存储器装置执行操作。如图5所示，当在“库活动”状态510期间解码“NOP”命令时，存储器装置不改变状态。当解码“读取”和“写入”命令时，执行各自命令且当完成时，存储器装置300返回到“库活动”状态510。

如状态图500所说明，可由命令解码器334解码RAS#和WE#信号的相同特定组合，以便根据存储器装置300的特定操作状态执行不同的命令集。举例来说，“低”RAS#信号和“低”WE#信号的组合在状态图500中被标记为“PRE”。在存储器装置处于“所有库预充电”状态504的一个情况下，RAS#和WE#信号的“PRE”组合致使存储器装置300从“所有库预充电”状态504改变，以便执行“自动刷新”操作506，用以执行自动刷新序列。但是，如果当存储器装置300处于“库活动”状态510时施加RAS#和WE#信号的“PRE”组合，那么其致使存储器装置300通过执行“预充电库”操作511而从“库活动”状态510改变成“库预充电”状态505。因此，仅仅使用RAS#和WE#信号的一个“PRE”组合，便可解码出两个不同的命令。

图6说明用于根据本发明替代实施例的存储器装置300的命令解码真值表600。命令解码真值600说明使用通常不被用作命令信号的输入信号来提供额外的命令解码选择。在将参看图6描述的实施例中，使用地址信号A10结合列602中所示的RAS#和WE#命令信号，进一步结合列604中所示的存储库打开/关闭状态来选择列606中所示的特定刷新或预充电机制。常规存储器装置一直利用通常不用于命令的信号(例如A10信号)来选择不同的刷新和预充电机制。但是，常规装置并不利用先前根据本发明实施例描述的命令解码。因此，本发明实施例的命令解码结合使用通常不用于命令的信号(例如A10信号)提供了本发明的额外替代实施例。

现在将相对于存储器装置300描述真值表600中所示的命令解码的操作。当存储器装置300处于“库关闭”状态且向存储器解码器334施加“低”RAS#信号和“低”WE#信号时，解码出刷新命令。A10信号的逻辑电平用来选择是在逐存储库基础上执行刷新序列，还是同时刷新所有存储库312A-D。如列606和608中所示，“低”A10信号选择逐存储库刷新操作，而“高”A10信号选择所有存储库刷新操作。如列608中进一步所示，当在存储器装置300处于“库关闭”状态时发布“库激活”命令或“加载模式”命令时，将A10信号解译为有效值的一部分。

如先前所描述，当在“库关闭”状态期间发布刷新命令时，用A10信号选择刷新序列。此外，当在“库打开”状态期间发布预充电命令时，用A10信号选择各种预充电序列。如列608中所示，将A10信号与RAS#和WE#信号结合使用，以便选择单个或所有库预充电、写入命令之后的自动预充电和读取命令之后的自动预充电。可使用A10信号来选择在写入还是读取命令之后执行自动预充电序列，因为A10信号不用来选择供存取的特定存储器位置。

图7说明根据本发明另一实施例由存储器装置300进行的命令解码的状态图700。图7的状态图700与图5的状态图500相似，且使用与先前相对于存储器装置状态、存储器装置操作、命令序列和自动序列描述的相同的惯例。此外，与图5的状态图500一样，可针对存储库0到N以逐存储库方式进行命令解码。通过在锁存命令信号RAS#和WE#时提供到存储器装置300的库地址信号来选择特定的存储库。与图5的状态图500相比，在状态图700中界定额外的命令和操作状态，而无需增加命令信号的数目。图7的状态图700中所示的所有命令和状态均可基于RAS#和WE#信号结合存储器装置300的特定操作状态来解码。

状态图700中所示的额外状态是“减电”状态702。“减电”状态702表示将存储器装置300置于低功率状态的情况，在此期间许多电路被停用(例如输出驱动器124(图3)、输入接收器128和DLL 123)，以便减少功率消耗。可通过施加“高”RAS#信号和“高”WE#信号而从“所有库预充电”状态504到达“减电”状态702。与图4的真值表400中说明的命令解码相比，状态图700利用“保留”命令来改变成“减电”状态702。图7中将“保留”命令展示为“RD”，其表示“高”RAS#信号与“高”WE#信号的组合，这是在“库活动”状态510下针对“读取”命令的命令信号组合。根据所施加的RAS#和WE#信号，存储器装置300的状态可从“减电”状态702改变成“休眠减电”状态704或“自主刷新”状态706。在当存储器装置300处于“减电”状态702时向命令解码器334施加“高”RAS#信号和“高”WE#信号的情况下，操作状态改变成“休眠减电”状态704。“休眠减电”状态704表示将存储器装置300置于程度高于“减电”状态702中的低功率状态的低功率状态下的情形。举例来说，“休眠减电”状态704可能不需要施加CLK信号，且因此，除了输入和输出电路之外，还可停用存储器装置300的时钟缓冲器。为了从“休眠减电”状态704返回“减电”状态702，向命令解码器334施加“低”RAS#信号和“低”WE#信号。为了使存储器装置300从“减电”状态702改变成“休眠刷新”状态706，向命令解码器334施加“低”RAS#信号和“低”WE#信号。在“自主刷新状态”706期间，存储器装置300执行自主刷新序列，以便刷新存储库312A-D的存储器单元。一旦完成自主刷新序列，存储器装置300的状态便返回到“减电”状态702。

如图7中所说明，对于RAS#与WE#信号的特定组合，通过在存储器装置300的不同操作状态期间施加RAS#与CAS#信号的特定组合，可解码甚至更多数目的命令。举例来说，采用“低”RAS#信号和“低”WE#信号的组合(在状态图700中标记为“PRE”)，可从相同的PRE组合中解码出四个不同命令。第一命令起因于在“所有库预充电”状态504期间施加RAS#与WE#信号的PRE组合，其致使存储器装置300从“所有库预充电”状态504改变，以便执行“自动刷新”操作506。第二命令起因于在“库活动”状态510期间施加RAS#与WE#信号的PRE组合，其致使存储器装置300执行“预充电库”命令511，以便改变成“库预充电”状态505。第三命令起因于在“减电”状态702期间施加RAS#与WE#信号的PRE组合，其致使存储器装置300改变成“自主刷新”状态706，以便执行自主刷新序列。第四命令起因于在“休眠减电”状态704期间施加RAS#与WE#信号的PRE组合，其致使存储器装置300退出“休眠减电”状态704并进入“减电”状态702。因此，仅仅使用RAS#和WE#两个命令信号的一种组合、结合存储器装置300的存储器状态，便可解码出四个不同命令。

图8是根据本发明实施例包含处理电路802的处理系统800的框图，所述处理电路802包含存储器装置300，所述存储器装置300具有利用命令解码的命令解码器334。通常，处理电路802通过地址、数据和控制总线耦合到存储器装置300，以便用于向存储器装置写入数据并从存储器装置读取数据。处理电路802包含用于执行各种处理功能的电路，所述功能例如为执行特定软件以便执行特定计算或任务。此外，处理系统800包含一个或一个以上输入装置804(例如键盘或鼠标)，其耦合到处理电路802，以便允许操作人员与处理系统800介接。通常，处理系统800还包含耦合到处理电路802的一个或一个以上输出装置806，例如通常包含打印机和视频端子的输出装置。通常，一个或一个以上存储装置808也耦合到处理电路802，以便存储数据或从外部存储媒体(未图示)检索数据。典型存储装置808的实例包含硬盘和软盘、盒式磁带、紧密型只读光盘(CD-ROM)和紧密型读写光盘(CD-RW)存储器，以及数字视频盘(DVD)。

根据以上内容将了解，虽然为了说明目的已经描述了本发明的特定实施例，但在不偏离本发明的精神和范围的情况下可作出各种修改。举例来说，已经相对于监视存储库112A-D的打开或关闭状态，作为被监视以解码命令信号的操作状态的实例来描述本文描述的本发明的实施例。但是，本发明的其它实施例在解码命令信号时监视替代的操作状态，其中包含前文描述的不同操作状态，例如减电状态和刷新状态。因此，本发明仅由所附权利要求书限定。