一种抗辐射性能良好的掺钕钛酸铋无铅铁电薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种应用于铁电存储器的抗辐射性能良好的掺钕钛酸铋无铅铁的制备方法。其具体步骤是：首先用溶胶－凝胶法配制前躯体溶液，然后将前躯体溶液旋涂在衬底上制备薄膜，最后将薄膜在650℃－750℃下退火即可。本发明制备出来的铁电薄膜具有良好的抗辐射性能，在电子辐射前后，其剩余极化强度基本无变化，漏电流略有减小，抗疲劳性能稍有增强。可应用于航空航天、核工业、军事等辐射相关领域的铁电存储器之用。