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InSb薄膜磁传感器及其制造方法

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本发明涉及可高灵敏度地直接检测出磁通量密度，且可用于消耗电力和消耗电流较小的微小型InSb薄膜磁传感器的薄膜层压体以及InSb薄膜磁传感器。是将InSb薄膜作为磁传感部、或磁场检测部的InSb薄膜磁传感器。具备有：作为形成于基板(1)上的InSb薄膜的InSb动作层(3)、电阻高于该InSb动作层(3)或显示出绝缘性或p型传导性、能带隙大于InSb的Al

著录项

公开/公告号CN101351902A

专利类型发明专利
公开/公告日2009-01-21

原文格式PDF
申请/专利权人旭化成株式会社;
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申请/专利号CN200680049524.3
发明设计人柴崎一郎;外贺宽崇;冈本敦;
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申请日2006-12-27
分类号H01L43/06;G01R33/07;G01R33/09;H01L43/08;
代理机构上海市华诚律师事务所;
代理人侯莉
地址日本国大阪府
入库时间 2023-12-17 21:19:23

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-12-14

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L43/06 授权公告日:20110413 终止日期:20171227 申请日:20061227

专利权的终止
2011-04-13

授权

授权
2009-03-11

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-01-21

公开

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