改善电极界面的有机FET及其制造方法

摘要

本发明提供一种有机FET，其在基板上叠层有栅极绝缘膜，在上述栅极绝缘膜上，由金属构成的源电极和由金属构成的漏电极在水平方向上相对配置，具有覆盖上述栅极绝缘膜、上述源电极和上述漏电极的有机半导体层，其特征在于：由碳原子数为4以上的烷基硫醇分子构成的第一有机分子层分别形成在上述源电极的上面和上述半导体层之间，以及上述漏电极的上面和上述半导体之间；由对甲基苯硫酚分子或苯硫酚分子构成的第二有机分子层分别形成在上述源电极的相对的侧面和上述半导体层之间，以及上述漏电极的相对的侧面和上述半导体层之间。