具有快速温度变化的衬底支撑结构

摘要

本发明涉及包括具有快速温度变化能力的衬底支撑结构的半导体反应腔室。本发明的方法和部件可用于衬底沉积和使用变化温度的相关工艺。根据本发明的优点，本发明的反应腔室和衬底支撑结构可在短的时间周期内改变温度，从而使得更快的处理时间。衬底支撑结构一般包括由构造为允许大于约10℃/秒的快速温度变化的材料形成的底座表面。