模式相干的双模半导体激光器结构

摘要

一种模式相干的双模半导体激光器结构，其中包括：一基底；一缓冲层，该缓冲层制作在基底上；一下限制层，该下限制层制作在缓冲层上；一多量子阱有源层，该多量子阱有源层制作在下限制层上，该多量子阱有源层为五段结构，两端为锯齿状，中间为平面结构，在中间与锯齿状结构之间的两段结构内注入磷；一上限制层，该上限制层制作在多量子阱有源层上的锯齿状的上面及中间部分；一盖层，该盖层制作在多量子阱有源层及上限制层的上面；一刻蚀阻止层，该刻蚀阻止层制作在盖层上；一欧姆接触层，该欧姆接触层分为五段制作在刻蚀阻止层上；一金属电极层，该金属电极层制作在分为五段的欧姆接触层上。