先进的磁性随机存取记忆体设计

摘要

本发明涉及一种用于制作先进的磁性随机存取记忆阵列(MRAM)的技术，供建构记忆体集成电路芯片。更特别地，本发明涉及一种集成电路记忆体芯片，其包含至少一高速磁性记忆胞阵列与至少一高密度磁性记忆胞阵列的组合。因此，揭露于此的记忆体芯片，在同一记忆体芯片上提供了高速记忆胞与高密度记忆胞两者的优点。因此，本发明的应用乃通过高速记忆胞阵列中的记忆胞而实现，其优势来自于高速记忆胞的使用(或者甚至需要)。