具有较好短沟道效应控制的MOS晶体管及其相应制造方法

摘要

一种集成电路，所述集成电路包含至少一个MOS晶体管(T)，所述MOS晶体包括栅极(GR)，所述栅极具有与栅氧化物层接触的底部。所述底部在源区和漏区之间沿所述栅极的长度具有不均匀的功函数(WFB、WFA)，在所述栅极末端的功函数的值大于在所述栅极中央的功函数的值。所述栅极在中央含有第一材料(A)，在其余部分中含有第二材料(B)。这种结构例如通过硅化实现。