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提高介电膜的材料性能的活化化学方法

摘要

用于恢复具有第一介电常数和至少一个表面的含硅介电材料层的介电常数的方法,其中含硅介电材料层的第一介电常数已经被增加到第二介电常数,该方法包括如下步骤:将含硅介电材料层的所述至少一个表面与含硅流体接触;将含硅介电材料层的所述至少一个表面暴露于选自紫外辐射、热和电子束的能量源,其中在该含硅介电材料层暴露到能量源之后,该含硅介电材料层具有低于第二介电常数的第三介电常数。

著录项

  • 公开/公告号CN101312129A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 气体产品与化学公司;

    申请/专利号CN200810092038.0

  • 申请日2008-02-15

  • 分类号H01L21/3105(20060101);H01L21/768(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人段晓玲;韦欣华

  • 地址 美国宾夕法尼亚州

  • 入库时间 2023-12-17 20:58:06

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-07-21

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/3105 公开日:20081126 申请日:20080215

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-01-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-11-26

    公开

    公开

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