高输出红色半导体激光器

摘要

本发明提供一种高输出红色半导体激光器，其改善散热特性抑制激光器元件的温度上升，无需增大元件的散热面积。该发明在倾斜n－GaAs衬底(2)上层叠有n－AlGaInP包层(3)、AlGaInP光导层(4)、MQW有源层(5)、AlGaInP光导层(6)、p－AlGaInP第1包层(7)、AlGaInP蚀刻停止层(8)、n－AlGaInP阻挡层(11)、p－AlGaAs第2包层(9)、p－GaAs接触层(10)、p电极(12)，在n－GaAs衬底(2)的背面形成有n电极(1)。由于第2包层(9)把热传导率良好的AlGaAs作为其成分，因此可以提高激光器元件的散热特性。