多磁区存储装置及磁区分割方法

摘要

本发明揭露一种多磁区存储装置与磁区分割方法，通过利用一跨接器插设于具有一内接插槽的存储卡上，可分开独立或同时控制存储卡内多个存储器晶粒。其组合成的存储装置具有与市面上存储卡相容的规格与尺寸，故可相容使用于所需产品上且不会影响薄型存储卡的插接。

说明书

【技术领域】

本发明是有关一种存储器储存技术，特别是一种多磁区存储装置及磁区分割方法。

【背景技术】

数字科技的快速发展与3C产品的普及，未来存储卡逐渐往高容量的趋势发展，且随着半导体制作技术的演进，晶圆奈米制作与封装堆叠技术更是使存储卡的容量的储存容量不断扩充。然而，存储卡容量越高储存内容越大，如何将其内数据作有效控管变成非常重要。若是部份数据毁损或是操作错误都有可能使其内数据全部消失，存储容量越大越需要将其内存储器分割作有效的管理。

【发明内容】

为了解决上述问题，本发明目的之一是提供一种多磁区存储装置及磁区分割方法，利用外接一跨接器可独立分开控制或是同时控制存储卡内两颗以上的存储器晶粒。

本发明目的之一系提供一种多磁区存储装置及磁区分割方法，通过利用一跨接器插设于具有一内接插槽的存储卡上，此多磁区存储装置具有与市面上存储卡相容的规格与尺寸，故可相容使用于所需产品上且不会影响薄型存储卡的插接。

本发明目的之一系提供一种多磁区存储装置及磁区分割方法，消费者使用此多磁区存储装置进行格式化、删除或备份时，可选择所需要的磁区进行数据处理。

为了达到上述目的，本发明一实施例的多磁区存储装置，系包括：一存储卡，系包含多个存储单元于其内；一内接插槽，系设置于存储卡上；以及一跨接器，系插设于存储卡之内接插槽上用以改变存储卡内部之一电路为一多磁区电路。

本发明另一实施例的磁区分割方法，系适用于一存储卡，此方法包括：提供一存储卡，其中此存储卡系具有多个存储单元于其内且一内接插槽系设置于存储卡上；以及提供一跨接器插设于存储卡之内接插槽上用以改变存储卡内部之一电路为一多磁区电路。

【附图说明】

图1A与图1B所示为根据本发明一实施例的俯视示意图。

图1C所示为图1A的侧视示意图。

图2所示为根据本发明一实施例的侧视剖面示意图。

图3A、图3B与图3C所示为本发明一实施例的不同实施状态的示意图。

图4所示为本发明一实施例的流程示意图。

【具体实施方式】

请参照图1A、图1B与图1C，于一实施例中，多磁区存储装置300包括：一存储卡100；一内接插槽110设置于存储卡100上；以及一跨接器200插设于存储卡100之内接插槽110上。其中，存储卡系具有与数字安全存储卡(Secure Digital MemoryCard，SD Card)、微型数字安全存储卡(Micro SD Card)、迷你数字安全存储卡(MiniSD Card)、USB微型随身碟(UFD)、多媒体存储卡(Multi Media Memory Card，MMC Card)或压缩快闪存储卡(Compact Flash Memory Card，CF Card)相容的规格与尺寸。

接续上述说明，存储卡100系包括多个存储单元(图上未示)，如存储器晶粒，于其内。跨接器200插设于存储卡100之内接插槽110上会改变存储卡100内部之一电路为一多磁区电路。参照图1B，存储卡100与跨接器200组合成的多磁区存储装置300系具有与现有的数字安全存储卡、微型数字安全存储卡、迷你数字安全存储卡、USB微型随身碟、多媒体存储卡或压缩快闪存储卡相容的规格与尺寸。故，利用存储卡100上的金手指12，本发明多磁区存储装置可相容使用于既有的电子产品上且不影响其插接状态。

继续请参照图2，于一实施例中，存储卡100包括：一基板10；至少一控制单元30；以及一塑封元件40设置于基板10上用以包覆存储单元与控制单元。其中，多个存储单元，如存储器晶粒20与22，系设置于基板10上并与基板10电性连接。控制单元30，如控制晶片，亦设置于基板10上并与基板10电性连接。

接着，如图2所示，内接插槽110系由塑封元件40所构成。多个内部导电接点50设置于内接插槽110且内部导电接点50系与存储卡100的电路(图上未示)电性连接。另外，跨接器200设置有多个外部导电接点60用以与内接插槽110内之内部导电接点50电性连接。

于本发明中，跨接器200插设于存储卡100之内接插槽110上系用来改变存储卡100内部之一电路为一多磁区电路以达到磁区分割的效果。请参照图3A、图3B与图3C，当跨接器200插设于存储卡100之内接插槽110上时，多磁区电路将会导通控制单元与存储单元(存储器晶粒20与存储器晶粒22)其中的至少一个。如图3A所示，多磁区电路导通控制单元30与存储器晶粒20与22，故于本实施例中，存储装置300插入相关产品中进行数据存取时，使用者可同时对存储装置300内的存储器晶粒20与22进行数据处理与存取。又，如图3B所示，若多磁区电路仅导通控制单元30与存储器晶粒22而不导通控制单元30与存储器晶粒20(即晶片控制单元30与存储器晶粒20间系为一开路现象)。使用者仅能对存储装置300内的存储器晶粒22进行数据处理与存取，而不能对存储器晶粒20进行数据处理与存取。反的，如图3C所示，多磁区电路仅导通控制单元30与存储器晶粒20，使用者仅能对存储装置300内的存储器晶粒20进行数据处理与存取。

本发明的磁区分割方法系适用于一存储卡。如图4所示，首先，提供一存储卡，其中存储卡系具有多个存储单元于其内且一内接插槽系设置于存储卡上(步骤S10)。接着，提供一跨接器插设于存储卡之内接插槽上用以改变存储卡内部之一电路为一多磁区电路(步骤S20)。跨接器上的外部导电接点会与内接插槽内之内部导电接点电性连接，进而与存储卡内电路电性连接改变原来电路成为一多磁区电路。此多磁区电路通过是否导通控制单元与存储单元作为分割整体存储器磁区的依据。于多磁区电路中，存储单元其中的至少一个系与控制单元被导通可用来对被导通的存储单元进行数据存取。剩余未导通的存储单元则无法进行数据存取。

综合上述，本发明利用外接一跨接器可独立分开控制或是同时控制存储卡内两颗以上的存储器晶粒；跨接器插设于具有一内接插槽的存储卡上，所组成的多磁区存储装置具有与市面上存储卡相容的规格与尺寸，故可相容使用于所需产品上且不会影响薄型存储卡的插接；消费者使用此多磁区存储装置进行格式化、删除或备份时，可选择所需要的磁区进行数据处理。

以上所述的实施例仅系为说明本发明的技术思想及特点，其目的在使熟习此项技艺的人士能够了解本发明之内容并据以实施，当不能以的限定本发明的专利范围，即大凡依本发明所揭示的精神所作的均等变化或修饰，仍应涵盖在本发明的专利范围内。