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非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法

摘要

本发明涉及一种非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法,属于电器元件及其材料制造技术领域。用ZnO加上从掺杂元素Al、Fe、Eu、Pr、La、Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pb、Ti、纳米ZnO中任选的氧化物粉组成混合原料,将其混合磨细,经干燥,压制成块,600~750℃进行预烧,再放入球磨罐研磨,干燥,过筛后造粒,将粉料压制成小圆片并逐渐加热到600~720℃保温排胶,后进一步加热烧结并冷却到室温,得到低压ZnO压敏陶瓷材料;再进行表面加工,被电极烧银,经测试后封装,得到低压ZnO压敏电阻。具有制作工艺简单、成本较低、性能好、使用范围广,所生产电阻重复性、稳定性、一致性好,电参数值有显著改进等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN101284730A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 昆明理工大学;

    申请/专利号CN200810058401.7

  • 申请日2008-05-16

  • 分类号

  • 代理机构昆明今威专利代理有限公司;

  • 代理人赵云

  • 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路253号(昆明理工大学)

  • 入库时间 2023-12-17 20:53:53

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-06-20

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01C7/112 公开日:20081015 申请日:20080516

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2009-10-21

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-15

    公开

    公开

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