法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-07-21
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):G01N21/41 公开日:20080917 申请日:20080408
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-11-05
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-09-17
公开
公开
机译: 晶体样品的晶片即MOSFET的部分变形测量方法,涉及测量干涉图案条纹的空间周期性和取向,以推断区域之间的取向和/或晶体参数差异
机译: 液体晶体衍射光栅,液体晶体组成,制备液体晶体衍射光栅的方法和线栅极化器
机译: 液体晶体衍射光栅,液体晶体组成,制造液体晶体衍射光栅的方法以及线栅极化器