首页> 中国专利> 用以改进非易失性存储器中快反向的负电压放电方案

用以改进非易失性存储器中快反向的负电压放电方案

页面导航

摘要
著录项
法律信息
相似文献

摘要

本发明涉及用于非易失性存储器装置的将放电操作分裂成两个放电周期的电荷泵和放电电路(450)。在第一放电周期中，通过一对放电晶体管(288、420)对正在放电的电压(VH)(例如，擦除电压)进行放电，直到放电电压(VN)达到第一电压电平为止。穿过所述对放电晶体管(288、420)的路径由中间控制电压(ndiv)控制，以使得所述对晶体管(288、420)中没有一个晶体管进入快反向条件。在第二放电周期中，通过第三放电晶体管(410)从所述第一电平完全放电剩余的放电电压。

著录项

公开/公告号CN101258554A

专利类型发明专利
公开/公告日2008-09-03

原文格式PDF
申请/专利权人美光科技公司;
展开▼

申请/专利号CN200680032509.8
发明设计人维普·帕特尔;斯蒂芬·瓜兰德里;
展开▼

申请日2006-07-07
分类号G11C5/14(20060101);G11C16/14(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王允方
地址美国爱达荷州
入库时间 2023-12-17 20:45:19

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2012-10-03

授权

授权
2008-10-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-09-03

公开

公开

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 用以改进非易失性存储器中快反向的负电压放电方案 [P] . 中国专利： CN101258554A . 2008-09-03
2. 用以改进非易失性存储器中快反向的负电压放电电路、装置和系统 [P] . 中国专利： CN101258554B . 2012.10.03
3. Negative voltage discharge scheme to improve snapback in a non-volatile memory [P] . 美国专利： US7864607B2 . 2011-01-04

机译：负电压放电方案可改善非易失性存储器中的回跳
4. NEGATIVE VOLTAGE DISCHARGE SCHEME TO IMPROVE SNAPBACK IN A NON-VOLATILE MEMORY [P] . 欧洲知识产权局专利： EP1905041B1 . 2010-03-10

机译：负电压放电方案可改善非易失性存储器中的回跳
5. NEGATIVE VOLTAGE DISCHARGE SCHEME TO IMPROVE SNAPBACK IN A NON-VOLATILE MEMORY [P] . 韩国专利： KR100923848B1 . 2009-10-27

机译：负电压放电方案可改善非易失性存储器中的回跳