公开/公告号CN101252258A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-08-27
原文格式PDF
申请/专利权人 上海新时达电气有限公司;上海辛格林纳新时达电机有限公司;
申请/专利号CN200810033689.2
申请日2008-02-19
分类号H02B1/20;H01B5/02;
代理机构上海智信专利代理有限公司;
代理人胡美强
地址 201802 上海市嘉定区新勤路289号
入库时间 2023-12-17 20:41:01
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-11-24
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H02B1/20 公开日:20080827 申请日:20080219
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-10-22
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-08-27
公开
公开
机译: 半导体传感器即离子敏感型场效应晶体管传感器的保护结构,具有布置在半导体层和金属层之间的绝缘层以及电绝缘的半导体和金属层的绝缘层
机译: 半导体组件,特别是带有半导体衬底的横向SOI组件,具有应用于衬底的绝缘层,位于绝缘层上的半导体层以及位于端子之间的半导体层中的漂移区
机译: 通过扁平导体和电缆插头的绝缘层之间的联络,以及电缆绝缘层的孔中的联络处的缩小,可以在电缆的扁平导体和扁平带状导体之间进行电气连接。